天津工业大学孙跃获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种负载Mb-COF纳米通道的滤膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119701681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510004611.1，技术领域涉及：B01D71/06；该发明授权一种负载Mb-COF纳米通道的滤膜及其制备方法是由孙跃;涂佳怡;冯玉宁;王敏天;樊洋洋设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负载Mb-COF纳米通道的滤膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米通道滤膜技术领域，尤其涉及一种负载Mb‑COF纳米通道的滤膜及其制备方法，该制备方法通过原位生长技术将2D的COF引入到柱形的纳米通道中，然后基于孔径匹配效应将Mb修饰到滤膜上负载的COF纳米通道中，得到具有手性选择性的负载Mb‑COF纳米通道的滤膜，该负载了Mb‑COF纳米通道的滤膜有望用于分离和或检测手性药物分子通过膜的选择性转运，该制备方法反应条件温和、操作简便，易于推广和使用。
本发明授权一种负载Mb-COF纳米通道的滤膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种负载Mb-COF纳米通道的滤膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S100、采用径迹刻蚀的方法在PET膜上制备柱形纳米通道，得到未负载纳米通道的滤膜； 其中，PET膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜； S200、将刻蚀的PET膜放置于1-3-二甲基氨基丙基-3-乙基碳二亚胺和N-羟基丁二酰亚胺混合溶液中活化后，放置于R1-NH2溶液中，反应12～24h，将R1-NH2共价锚定在纳米通道内的羧基上，得到经R1-NH2修饰的纳米通道滤膜； 其中，R1选自于烷基、烯基、炔基和芳香基中的一种或几种； S300、将R1-NH2修饰的纳米通道滤膜放置于聚四氟乙烯模具内，对聚四氟乙烯模具施加电压，R2CHO溶液放入聚四氟乙烯模具的正极端，含催化剂的R1-NH2溶液放置于聚四氟乙烯模具的负极端，50～70℃，原位生长36～48h，得到负载COF纳米通道的滤膜； 其中，R2选自于烷基、烯基、炔基和芳香基中的一种或几种； S400、配制肌红蛋白溶液，将负载COF纳米通道的滤膜浸泡于该肌红蛋白溶液中，反应12～24h，得到负载Mb-COF纳米通道的滤膜。
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