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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411652879.8，技术领域涉及：H04B7/08；该发明授权一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法是由郭昊东;余林峻;陈华;张一凡;方嘉雄;朱明红;刘尉悦设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法，其选取两个线阵，第一线阵为密集均匀线阵，并计算第一线阵的二阶和共阵，计算第二线阵的二阶和共阵以及二阶差共阵，获取共阵中的最长段，基于此构造三阶稀疏阵列；再根据三阶稀疏阵列，通过合并四种三阶累积量构造三阶虚拟阵列即三阶穷举共阵；优点是通过对第二线阵的扩展和移位，将二阶稀疏阵列向三阶映射以适配三阶累积量模型，本发明充分利用了第二线阵的和差共阵的连续段，设计得到的三阶稀疏阵列的虚拟阵列即三阶穷举共阵中具有较长的连续部分，阵列的自由度数量得到了显著的提高。

本发明授权一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于和差分析的三阶稀疏阵列设计方法，其特征在于包括以下步骤： 步骤1：选取第一线阵，第一线阵为密集均匀线阵，其物理阵元数量为N1，物理阵元间隔为d，物理阵元位置集合Z1表示为Z1＝P1·d＝{0,1,…,N1-1}d，其中，P1表示密集均匀线阵中的物理阵元的索引集合，P1＝{0,1,...,N1-1}；并选取第二线阵，其阵元数量为N2，物理阵元位置集合Z2表示为其中，P2表示第二线阵中的物理阵元的索引集合， 步骤2：计算密集均匀线阵的二阶和共阵其中，g,h为P1中的任意两个索引；并计算第二线阵的二阶和共阵和二阶差共阵其中，a,b为P2中的任意两个索引；然后将中最长连续数值段构成的子集记为将中最长连续数值段构成的子集记为将P2中最长连续索引段构成的子集记为 步骤3：根据密集均匀线阵和第二线阵，构造三阶稀疏阵列，其物理阵元数量为N，N＝N1+N2，物理阵元间隔非均匀，物理阵元位置集合Z表示为Z＝P·d，其中，P表示三阶稀疏阵列中的物理阵元的索引集合，P＝P1∪PEXT，PEXT表示扩展索引集合，PEXT＝λP2+s，λ表示扩展系数，s表示用于使三阶稀疏阵列的三阶均匀自由度最大化的移位因子，s为优化变量，s的最优解通过P1、计算得到，“∪”为集合并运算符号； 步骤4：根据三阶稀疏阵列，通过合并四种三阶累积量构造三阶虚拟阵列即三阶穷举共阵。

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