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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于TaOx的多功能忆阻器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411940359.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于TaOx的多功能忆阻器及制备方法是由程晓敏;曹丽娟;罗云皓;缪向水设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TaOx的多功能忆阻器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微纳米电子器件相关领域，并公开了一种基于TaOx的多功能忆阻器，其包括由下而上依次叠设的衬底、第一电极层、功能层、阻挡层以及第二电极层，其中该第一、第二电极层分别采用惰性金属材料、活性金属材料制成；该功能层采用TaOx材料制成且x小于2.5，以存在氧空位形成陷阱能级；该阻挡层采用惰性金属材料制成，用于阻挡第二电极层的金属原子进入功能层。当向第二电极层施加不同电操作时，整个器件表现出不同的电学特征。本发明还公开了相应的制作方法。通过本发明，能够分别模拟生物神经网络中的树突、胞体和突触的功能，为现有人工神经网络提供了一种能够承担多个功能的多功能忆阻器，同时降低硬件实现过程中的工艺复杂度并提高集成度。

本发明授权一种基于TaOx的多功能忆阻器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于TaOx的多功能忆阻器，其特征在于，该忆阻器包括衬底、以及依次叠设在所述衬底上的第一电极层、功能层、阻挡层以及第二电极层，其中： 所述第一电极层、第二电极层分别采用惰性金属材料、活性金属材料制成不同电极；所述功能层采用TaOx材料制成且x小于2.5，以使得该功能层存在氧空位形成陷阱能级；所述阻挡层采用惰性金属材料制成，用于阻挡所述第二电极层的金属原子进入所述功能层； 当所述第二电极层被施加负向电压时，由所述第二电极层向所述功能层跃迁的电子被其陷阱能级俘获，整个器件由低阻态变为高阻态；当负向电压被移除时，所述功能层俘获的电子被释放回所述第二电极层，整个器件自发回到高阻态，相应表现为忆阻器的模拟易失阻变特性； 而当所述第二电极层被施加限流正向电压的初始化操作后，所述第二电极层的金属原子发生氧化还原反应且在所述功能层内形成导电丝，该导电丝将所述第一、第二电极层连接，由此使得整个器件变为低阻态；其中，当限流电流不大于预设值时，所述导电丝形成为相对较细的直径，并在正向电源被移除后自发断裂，相应表现为忆阻器的数字易失阻变特征；此外，当限流电流大于预设值时，所述导电丝形成为相对较粗的直径，并在正向电压被移除后未断裂，相应表现为忆阻器的非易失阻变特征。

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