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龙图腾网获悉华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)申请的专利一种压电驱动MEMS二维扫描镜及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988041.6，技术领域涉及：G02B26/08；该发明授权一种压电驱动MEMS二维扫描镜及其加工方法是由江添翼;王建波;齐志强;王晨晟设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电驱动MEMS二维扫描镜及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开出了一种MEMS扫描镜及其加工方法，扫描镜包括外框体硅、质量块、金属镜面以及4组硅扭转梁、金属下电极、PZT压电薄膜和金属上电极；所述压电驱动MEMS二维扫描镜通过对金属上电极以及金属下电极施加电压后会使得PZT压电薄膜发生形变，产生翘曲，从而带动硅扭转梁发生扭曲，进而带动中间的质量块和金属镜面发生偏转，通过对4组不同扫描结构进行电压施加，可以实现二维扫描。本发明通过对压电驱动臂施加电压带动反射镜面发生偏转，在实现大偏转角的同时可以缩小整个扫描系统的体积，利用PZT作为角度传感器，减少了工艺流程，提高了流片良率和系统的集成度，形成一体化、高品质因数的MEMS扫描器件。

本发明授权一种压电驱动MEMS二维扫描镜及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种压电驱动MEMS二维扫描镜加工方法，其特征在于，所述压电驱动MEMS二维扫描镜加工方法包括以下步骤： 步骤S1，在SOI基片上通过等离子气相沉积制备一层绝缘层SiO2； 所述SOI基片包括多层结构，由下至上分别包括背封SiO2、体硅、埋氧层和器件层Si； 步骤S2，在绝缘层SiO2上层通过磁控溅射制备金属钛以及金属铂； 步骤S3，在金属薄膜表面通过溶胶凝胶法制备PZT压电薄膜； 步骤S4，通过光刻、湿法刻蚀完成对PZT压电薄膜的图形化； 步骤S5，通过光刻、RIE反应离子束刻蚀完成对下电极金属薄膜的图形化； 步骤S6，通过光刻、电子束蒸发完成器件上电极以及镜面的金属薄膜沉积制备； 步骤S7，通过光刻、深反应离子束刻蚀以及反应离子束刻蚀完成器件层Si扭转梁的图形化以埋氧层的提前释放； 步骤S8，通过匀胶、湿法刻蚀完成对器件背面背封SiO2刻蚀； 步骤S9，通过匀胶、深反应离子束刻蚀完成对器件体硅刻蚀，并释放应力； 在步骤S4中，在PZT表面薄膜烘涂HMDS增粘剂，用于提高光刻胶与基片表面的粘附能力，烘烤温度为135℃； 之后再旋涂正光刻胶成膜并在95℃下进行90s烘烤，去除光刻胶中多余的水分，使用光刻机对掩膜版下基片进行适当的曝光； 之后将样品基片浸入ZX-238显影液中反应掉被曝光部分的光刻胶，取出后使用去离子水冲洗基片表面去除残余的显影液并使用氮气吹干基片，放置于110℃热板上进行5min加热，固化光刻胶并提高光刻胶的耐酸蚀能力； 然后配置用于湿法刻蚀PZT的刻蚀溶液将基片在刻蚀液-漂洗液-去离子水中不断轮换进行，有效防止反应产物附着在表面影响反应的进行； 最后在丙酮有机溶液中清洗后最终得到图形化的PZT。

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