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龙图腾网获悉成都九天画芯科技有限公司申请的专利一种栅极控制的场序电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119763509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510254745.9，技术领域涉及：G09G3/36；该发明授权一种栅极控制的场序电路及方法是由张锦;任浩设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极控制的场序电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种栅极控制的场序电路及方法，包括M行子电路，子电路包括补偿单元，补偿单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和预存储电容；第一晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线，第一晶体管的第二源漏极耦接至预存储电容的一端和第三晶体管的第一源漏极，第二晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线；第三晶体管的栅极耦接至第二复位信号线，第三晶体管的第一源漏极还耦接至第四晶体管的栅极，第五晶体管的栅极耦接至第二复位信号线；第四晶体管的第一源漏极耦接至正电源电源线。本发明达到的有益效果是：通过利用晶体管的导通特性剔除阈值电压，从而规避因阈值电压漂移而造成的画面异常现象。

本发明授权一种栅极控制的场序电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极控制的场序电路，其特征在于：包括M行的子电路，所述子电路包括补偿单元和驱动单元； 所述补偿单元包括第一电路结构； 所述第一电路结构包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5和预存储电容Cst1； 第N行的子电路的第一晶体管M1的栅极耦接至复位信号线Reset，所述第一晶体管M1的第一源漏极耦接至参考信号线Vref，所述第一晶体管M1的第二源漏极耦接至预存储电容Cst1的一端和第三晶体管M3的第一源漏极，所述预存储电容Cst1的另一端耦接至第二晶体管M2的第二源漏极，所述第二晶体管M2的栅极耦接至第N行的行栅信号线ScanN，所述第二晶体管M2的第一源漏极耦接至数据信号线Data； 所述第三晶体管M3的栅极耦接至第二复位信号线Reset2，所述第三晶体管M3的第一源漏极还耦接至第四晶体管M4的栅极，所述第三晶体管M3的第二源漏极耦接至第五晶体管M5的第一源漏极，所述第五晶体管M5的栅极耦接至第二复位信号线Reset2，所述第五晶体管M5的第二源漏极耦接第四晶体管M4的第二源漏极和驱动单元； 所述第四晶体管M4的栅极耦接至预存储电容Cst1的一端，所述第四晶体管M4的第一源漏极耦接至正电源电源线Vdd； 所述第一电路结构还包括：第六晶体管M6和第八晶体管M8； 所述第四晶体管M4的第一源漏耦接至驱动单元和第八晶体管M8的第一源漏极，所述第八晶体管M8的第二源漏极耦接至公共信号线Com，所述第八晶体管M8的栅极耦接至第二复位信号线Reset2； 所述第五晶体管M5的第一源漏极耦接至第六晶体管M6的第二源漏极，所述第六晶体管M6的第一源漏极耦接至正电源线Vdd，所述第六晶体管M6的栅极耦接至转移信号线Tran。

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