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龙图腾网获悉常州银河世纪微电子股份有限公司申请的专利一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411878200.7，技术领域涉及：H01L23/62；该发明授权一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片及其制备方法是由刘军;耿恩厚;施小明设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片及其制备方法，其沿着宽度方向的剖面结构呈左右对称结构，同时具有上下非对称的A表面结构和B表面结构，同时具有触发管特性以及固体放电管特性，是基于晶闸管原理结构的一种两端负阻的双向触发开关；本发明结构芯片具有范围较宽的触发电压，不同方向导通电压差跨度较大并可按要求调节；本发明结构芯片导通状态下电压非常低，瞬间能通过较大的电流，一旦导通，便处于自锁状态，只有流过其本身的电流中断或小于关断电流时，才会关断。

本发明授权一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非对称性触发开关浪涌吸收芯片，其特征在于，其剖面结构包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的两个表面分别定义为A表面和B表面； 在所述A表面内具有阵列分布的四个第二导电类型第一重掺区，分布在外围的两个所述第二导电类型第一重掺区之外分别呈轴对称非连接设置两个第一导电类型第一掺杂区，四个所述第二导电类型第一重掺区之间填充设置第二导电类型第三掺杂区，分布在内围的两个所述第二导电类型第一重掺区之间的所述第二导电类型第三掺杂区内设置第二导电类型第五掺杂区，所述第二导电类型第五掺杂区与内围的两个所述第二导电类型第一重掺区连接，分布在内围的两个所述第二导电类型第一重掺区之外分别呈轴对称连接设置两个第一发射区； 在所述B表面内具有整面第一导电类型重掺区，在所述第一导电类型重掺区上连接设置呈阵列分布的四个第二导电类型第二重掺区，分布在外围的两个所述第二导电类型第二重掺区之外分别呈轴对称非连接设置两个第一导电类型第二掺杂区，四个所述第二导电类型第二重掺区之间填充设置第二导电类型第四掺杂区，分布在内围的两个所述第二导电类型第二重掺区之间的所述第二导电类型第四掺杂区内设置第二导电类型第六掺杂区，所述第二导电类型第六掺杂区与内围的两个所述第二导电类型第二重掺区连接，分布在内围的两个所述第二导电类型第二重掺区之外分别呈轴对称连接设置两个第二发射区； 所述第二导电类型第五掺杂区的宽度是芯片总宽度的3％-5％； 所述第二导电类型第六掺杂区的宽度是芯片总宽度的30％-40％。

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