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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411839858.7，技术领域涉及：H10D1/43；该发明授权电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备是由姜作衡;吴妍霖;陈嘉伟设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决增大电阻器的电阻时会引起电阻器尺寸变大的问题。集成电路包括：叠设的衬底、沟道层和势垒层；集成电路具有间隔设置的第一器件区和第二器件区；集成电路还包括：位于第一器件区的电阻器和位于第二器件区的晶体管；电阻器包括：导电沟道；集成电路还包括：位于势垒层远离衬底一侧的P型GaN层；P型GaN层包括：位于第一器件区的第一部和位于第二器件区的第二部；第一部和导电沟道在第一方向上有交叠，第一方向垂直衬底；其中，第一部的厚度小于第二部的厚度。上述电阻器应用于电子设备中，用于提供电阻。

本发明授权电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括：衬底和在所述衬底的一侧叠设的沟道层和势垒层； 所述集成电路具有间隔设置的第一器件区和第二器件区； 所述集成电路还包括：位于所述第一器件区的电阻器和位于所述第二器件区的晶体管；所述电阻器包括：位于所述沟道层远离所述衬底一侧且间隔设置的第一极和第二极，以及电连接所述第一极和所述第二极的导电沟道； 所述集成电路还包括：位于所述势垒层远离所述衬底一侧的P型GaN层；所述P型GaN层包括：位于所述第一器件区的第一部和位于所述第二器件区的第二部；所述第一部和所述导电沟道在第一方向上有交叠，所述第一方向垂直所述衬底； 其中，所述第一部的厚度小于所述第二部的厚度； 所述第一部沿第二方向的一端与所述第一极接触，所述第一部沿所述第二方向的另一端与所述第二极接触； 其中，所述第二方向与所述衬底平行，且与所述第一极和所述第二极排布的方向平行； 所述第一部包括：第一子部和第二子部，所述第一子部和所述第二子部沿平行所述衬底的方向排布；其中，所述第一子部的厚度小于所述第二子部的厚度。

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