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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119782062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411850243.4，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质是由赵莎莎;姚光乐;王璞设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质在说明书摘要公布了：本发明涉及存储领域，具体是一种应用于NandFlash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质。本发明设置cache读取时间标准、构造测试场景、结果返回、结果校验几个阶段。在设置cache读取时间标准阶段，相同lun多次读取获得从cache中读取数据的时间基准。在构造测试场景阶段，根据实际应用场景发送不同的读写操作。在结果返回阶段，对NFC返回的数据进行处理，以便进行下一步分析。在结果校验阶段对返回数据是否从cache中读取进行判断，生成可视化报告。本发明可验证闪存控制器能否有效从cache中读取数据，提高NANDFlash存储系统的读取性能和数据访问速度。

本发明授权一种应用于Nand Flash控制器缓存读取的测试方法、装置及介质在权利要求书中公布了：1.一种应用于NandFlash控制器缓存读取的测试方法，其特征在于：包括以下步骤： S01、设置cache读取时间标准，cache读取时间标准包括singleplane读时间标准和multi-plane读时间标准，首先初始化要操作的nand存储组织结构PBA信息，包含channel、chip、lun、block，设置传输数据大小、传输方式，然后往NFC多次发送singleplane读操作确定从cache中singleplane读取数据的时间，记为sp_cache_level，然后发送多次multi-plane读操作确定从cache中multi-plane读取数据的时间，记为mp_cache_level； S02、构造测试场景，根据实际应用场景发送不同的读写操作，包含相同lun不同闪存类型混合读写、不同lun读取、不同plane读取、不同page读取； S03、结果返回，对NFC返回的数据进行处理； S04、结果校验，根据NFC返回的数据进行结果校验，将校验结果与预期结果进行比较，如果一致，则cacheread功能正确，否则不正确； 步骤S04具体为：首先判断状态位是否为9c，不是则测试失败，是则继续判断读取的数据是否正确，不正确则测试失败，是则继续判断读取性能是否提升，性能数据与步骤S02设置的sp_cache_level、mp_cache_level对比，对于singleplane读操作，其读时间小于sp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败，对于multi-plane，其读时间小于mp_cache_level，则认为性能提升，测试通过，否则测试失败。

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