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电子科技大学喻梦霞获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种温度补偿均衡器MMIC获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119787994B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411810284.0,技术领域涉及:H03F1/30;该发明授权一种温度补偿均衡器MMIC是由喻梦霞;饶浩钿设计研发完成,并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种温度补偿均衡器MMIC在说明书摘要公布了:本发明属于微波集成电路技术领域,具体提供一种温度补偿均衡器MMIC,用以满足宽带大功率放大器中正斜率增益的设计需求,同时解决宽带大功率放大器因温度升高造成的增益降低问题。本发明中包括:温度补偿模块与均衡器模块,其中,所述均衡器模块连接在射频输入端与射频输出端之间,实现电路的均衡补偿功能;所述温度补偿模块输出温度补偿信号至均衡器模块的直流偏置端,实现电路的温度补偿功能。综上所述,本发明在射频输入端口和输出端口之间设置均衡器模块,用于补偿电路的高频增益;同时设计温度补偿模块,实现增益温度补偿;最终,本发明在频率上增加了放大器的增益平坦度,在温度上降低了放大器的温度敏感性。

本发明授权一种温度补偿均衡器MMIC在权利要求书中公布了:1.一种温度补偿均衡器MMIC,其特征在于,包括:温度补偿模块与均衡器模块,其中,所述均衡器模块连接在射频输入端与射频输出端之间,实现电路的均衡补偿功能;所述温度补偿模块输出温度补偿信号至均衡器模块的直流偏置端,实现电路的温度补偿功能; 所述温度补偿模块包括:电阻R1~R3、二极管D1~D3与增强型逻辑场效应管LEF1;其中,增强型逻辑场效应管LEF1的栅极通过电阻R1接地,增强型逻辑场效应管LEF1的源极通过电阻R2接直流电源VDC,增强型逻辑场效应管LEF1的漏极通过电阻R3接地;二极管D1的阳极连接增强型逻辑场效应管LEF1的栅极,二极管D1的阴极连接二极管D2的阳极,二极管D2的阴极连接二极管D3的阳极,二极管D3的阴极连接直流电源VDC;增强型逻辑场效应管LEF1的漏极与电阻R3之间引出温度补偿信号,输出至均衡器模块的直流偏置端; 所述均衡器模块包括:电阻R4~R7、电感L1~L2、开关管SW1~SW2与电容C1;其中,开关管SW1的栅极与开关管SW2的栅极相连并连接电阻R4,电阻R4的另一端作为直流偏置端;电容C1连接于开关管SW1的漏极与开关管SW2的漏极之间,电阻R7与电容C1并联,且并联后两端作为射频输入端与射频输出端;开关管SW1的源极依次通过电阻R5、电感L1后接地,开关管SW2的源极依次通过电阻R6、电感L2后接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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