西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学刘志宏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789462B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411615644.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法是由刘志宏;魏宇君;惠安特;索淑怡;冯欣;杜航海;周弘;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源电极、漏电极、栅电极、第一钝化层和第二钝化层，沟道层在源电极一侧的内部设置有N+型埋层，N+型埋层位于沟道层中上部，与势垒层与沟道层的界面保持一定距离，源电极与二维电子气通过N+埋层形成一个肖特基二极管结构。本发明通过在沟道层中的源电极至栅电极下方，设置一个重掺杂GaN区域，源电极与重掺杂GaN区域形成欧姆接触，从而在栅电极下方的二维电子气与源电极通过N+型埋层形成一个肖特基二极管的结构，使得器件在更大的电流范围内保持较稳定的跨导，提高GaN基HEMT的线性度，减少信号失真。
本发明授权一种高线性度射频GaN基HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高线性度射频GaN基HEMT器件，自下而上依次包括衬底1、成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5，沟道层4和势垒层5的界面中形成二维电子气，势垒层5的上端面设有漏电极6和栅电极7，所述漏电极6和栅电极7之间的势垒层5的上端面设有第一钝化层10；其特征在于： 远离漏电极6的沟道层4的一端的内部设置有N+型埋层9，所述N+型埋层9位于沟道层4内的中上部；所述栅电极7的一端的势垒层5上端面设有第一凹槽，第一凹槽的底部位于沟道层4的上端面，沟道层4的一端的上端面设有第二凹槽，第二凹槽的底部位于N+型埋层9一端的上端面，所述第二凹槽中设有源电极8，源电极8与N+型埋层9形成欧姆接触，所述源电极8与二维电子气通过N+埋层9形成一个肖特基二极管结构；所述源电极8与栅电极7之间的沟道层4的上端面设有第二钝化层11。
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