买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411929141.1，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法是由王银娣;云宇;高令奇;孙凌;武哲;王瑞琪;张静;谭歆设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种HfAlOx石墨烯HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法，该HfAlOx石墨烯HfAlOx异质结，采用HfAlOx作为介质材料，与石墨烯形成良好的异质结结构。HfAlOx具有较高的介电常数和良好的稳定性，能够有效地调控石墨烯的电学性质，同时避免了石墨烯与金属直接接触时的费米能级钉扎效应，提高了相位调制的效率和灵活性。整个结构长度仅800nm，远小于中红外波段的自由空间波长，实现了亚波长操作。这种小尺寸结构有利于器件的高度集成化和小型化，可应用于高密度光集成芯片、微型光传感器等领域，有助于提高系统的集成度和便携性。

本发明授权HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法在权利要求书中公布了：1.一种HfAlOX石墨烯HfAlOX异质结的制备方法，其特征在于，包括： S1、对SOI基底进行预处理后，采用原子层沉积技术在SOI基底上生长HfAlOX隔离层； S2、利用化学气相沉积法在所述的S1的HfAlOX隔离层上生长石墨烯层； S3、采用物理气相沉积方法在所述的S2的石墨烯层上制备HfAlOX介质层； S4、采用电子束光刻技术定义电极图案，然后通过金属蒸发或溅射工艺将金属电极层沉积在S3的HfAlOX介质层上，最终得到HfAlOX石墨烯HfAlOX异质结； 采用物理气相沉积方法在所述的S2的石墨烯层上制备HfAlOX介质层，具体为： 通过电子束蒸发或溅射的物理气相沉积方法在石墨烯层上制备HfAlOX介质层； 当采用电子束蒸发的物理气相沉积方法在石墨烯层上制备HfAlOX介质层时，采用HfAlOX作为蒸发源材料，通过控制电子束电流、蒸发时间以及沉积速率为0.1-0.5nms的条件下，沉积得到HfAlOX介质层； 当采用溅射工艺的物理气相沉积方法在石墨烯层上制备HfAlOX介质层时，采HfAlOX为靶材，在溅射功率为100-300W和气压为0.1-1Pa的条件下进行溅射沉积得到HfAlOX介质层； 所述HfAlOX石墨烯HfAlOX异质结由下到上依次包括SOI基底、HfAlOX隔离层、石墨烯层、HfAlOX介质层和金属电极层； 所述HfAlOX隔离层的厚度为100nm；HfAlOX介质层的厚度为50nm-200nm，所述金属电极层的厚度为50nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陕西科技大学，其通讯地址为：710021 陕西省西安市未央区大学园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。