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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119806271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411979422.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路是由周前能;张瀚文;李红娟设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路，包括带启动的偏置电路、基极补偿的带隙基准核心电路以及高阶温度补偿电路。本发明采用NPN三极管基极串联电阻技术来抑制NPN三极管基极电流对带隙基准源电路输出电压影响，采用两个NMOS管工作在亚阈值区的栅源电压之差产生的正温度系数电流以及NPN三极管基极‑发射极电压在电阻上产生的负温度系数电流等技术实现的两个高阶温度补偿电流来补偿带隙基准源电路输出电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路。

本发明授权一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种带基极补偿的高阶带隙基准源电路，其特征在于，包括：带启动的偏置电路1、基极补偿的带隙基准核心电路2以及高阶温度补偿电路3，其中，所述带启动的偏置电路1的信号输出端分别接所述基极补偿的带隙基准核心电路2的信号输入端以及所述高阶温度补偿电路3的信号输入端，所述基极补偿的带隙基准核心电路2的信号输出端分别接所述带启动的偏置电路1的信号输入端以及所述高阶温度补偿电路3的信号输入端，所述高阶温度补偿电路3的信号输出端接所述基极补偿的带隙基准核心电路2的信号输入端；所述基极补偿的带隙基准核心电路2包括：PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、PMOS管M20、NMOS管M21、NMOS管M22、NMOS管M23、NMOS管M24、PMOS管M25、PMOS管M26、PMOS管M27、PMOS管M28、NPN三极管Q3、NPN三极管Q4、NPN三极管Q5、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6以及电阻R7，其中PMOS管M15的源极分别与PMOS管M16的源极、PMOS管M17的源极、PMOS管M25的源极、PMOS管M26的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M15的栅极分别与PMOS管M16的栅极、PMOS管M17的栅极、PMOS管M16的漏极以及PMOS管M19的源极相连，PMOS管M15的漏极分别与PMOS管M25的栅极、PMOS管M26的栅极以及PMOS管M18的源极相连，PMOS管M18的栅极分别与PMOS管M18的漏极、NMOS管M14的漏极以及NMOS管M21的漏极相连，NMOS管M21的源极与NPN三极管Q3的集电极相连，NPN三极管Q3的基极分别与NMOS管M21的栅极以及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端分别与电阻R3的一端以及NPN三极管Q4的集电极相连，NPN三极管Q3的发射极分别与NPN三极管Q4的发射极、NPN三极管Q5的发射极、NMOS管M23的源极、NMOS管M24的源极、电阻R6的一端、电阻R7的一端以及外部地GND相连，PMOS管M19的栅极分别与PMOS管M20的栅极、PMOS管M19的漏极以及NMOS管M22的漏极相连，NMOS管M22的源极与NPN三极管Q5的集电极相连，PMOS管M17的漏极与PMOS管M20的源极相连，PMOS管M20的漏极分别与NMOS管M23的漏极、NMOS管M23的栅极以及NMOS管M24的栅极相连，PMOS管M25的漏极与PMOS管M27的源极相连，PMOS管M27的漏极分别与NMOS管M4的栅极、电阻R3的另一端、NPN三极管Q4的基极、NMOS管M22的栅极、NPN三极管Q5的基极以及电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端分别与PMOS管M27的栅极、PMOS管M28的栅极以及电阻R6的另一端相连，PMOS管M26的漏极与PMOS管M28的源极相连，PMOS管M28的漏极分别与PMOS管M30的漏极、NMOS管M31的漏极、PMOS管M55的漏极、NMOS管M56的漏极、电阻R7的另一端以及电路输出端VREF相连。

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