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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119806272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411979424.7，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路是由周前能;李杰;李红娟设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路，包括启动与偏置电路、带隙基准核心电路以及温度补偿电路。本发明采用工作在亚阈值区PMOS管M6和PMOS管M7的栅源电压之差产生正温度系数电压以及工作在亚阈值区NMOS管M8的栅源电压等技术实现一阶温度补偿的带隙基准电压，利用工作在饱和区MOS管的阈值电压绝对值具有负温度系数的技术实现温度高阶非线性电流INL，进而补偿带隙基准核心电路提供的一阶温度补偿的带隙基准电压的温度高阶非线性，进而获得高阶温度补偿的带隙基准电压，从而实现一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路。

本发明授权一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路在权利要求书中公布了：1.一种无三极管的低压低功耗带隙基准源电路，其特征在于，包括：启动与偏置电路1、带隙基准核心电路2以及温度补偿电路3，其中，所述启动与偏置电路1的信号输出端分别接所述带隙基准核心电路2的信号输入端以及所述温度补偿电路3的信号输入端，所述带隙基准核心电路2的信号输出端接所述启动与偏置电路1的信号输入端，所述温度补偿电路3的信号输出端接所述带隙基准核心电路2的信号输入端，所述启动与偏置电路1为所述带隙基准核心电路2以及所述温度补偿电路3提供偏置及启动信号，所述温度补偿电路3为所述带隙基准核心电路2产生的基准电压提供高阶温度补偿信号；所述温度补偿电路3包括：PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、NMOS管M15、电阻R5、电阻R6、电阻R7以及电阻R8，其中PMOS管M10的源极分别与PMOS管M13的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M10的漏极分别与电阻R5的另一端以及NMOS管M11的栅极相连，电阻R6的另一端分别与NMOS管M11的漏极以及NMOS管M12的栅极相连，NMOS管M11的源极与NMOS管M12的漏极相连，NMOS管M12的源极分别与NMOS管M15的源极以及外部地GND相连，PMOS管M13的漏极与PMOS管M14的源极相连，PMOS管M14的栅极分别与PMOS管M14的漏极以及电阻R7的另一端相连，电阻R8的另一端分别与NMOS管M15的栅极以及NMOS管M15的漏极相连。

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