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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种激光键合互连工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001840.8，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种激光键合互连工艺是由张昱;杨世洪;刘辉涛;韦东业;李宇涛;翁铭;王建晨;杨冠南;崔成强设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种激光键合互连工艺在说明书摘要公布了：一种激光键合互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取一定规格的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片，并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，对准芯片与基板，使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用所述装置选取合适的激光参数，并施加压力和超声，控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。包括细节距互连和芯片固晶，同时实现更好性能、更高效率和更低成本的互连，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。

本发明授权一种激光键合互连工艺在权利要求书中公布了：1.一种激光键合互连工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，选取一定规格的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理； 步骤二，使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片，并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，对准芯片与基板，使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构； 步骤三，通入保护气体，使用所述装置选取合适的激光参数，并施加压力和超声，控制焊接时间对所述互连结构进行焊接； 步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构； 步骤一中，所述芯片和基板的尺寸为1-300mm，其中，所述芯片的节距为1-200所述预处理包括使用SAM、酸处理和等离子体处理中的一种或几种； 步骤二中，所述透光且耐高温材料包括石英玻璃、透明玻璃钢、氧化钇透明陶瓷中的一种； 步骤二中，所述芯片吸取和激光发射一体化装置的激光光源包括CO2激光器、Nd:YAG激光器、光纤激光器、半导体激光器中的一种； 步骤三中，所述激光参数包括激光功率为1-3000W，激光波长为0.7-10.6； 所述压力为0-40MPa，超声驱动频率为0-100kHz，焊接时间为1-3600s。

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