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电子科技大学张勇获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119812725B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411934394.8,技术领域涉及:H01Q1/22;该发明授权一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源是由张勇;茶兴增;梁洪瑞;杜英涛;张铁笛设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源在说明书摘要公布了:本发明公开了一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源,属于太赫兹无线收发技术领域,包括衬底,以及位于衬底上方的RTD、背腔贴片天线、GSG直流偏置线和两个稳定电阻;背腔贴片天线包括背腔底部参考地、背腔金属侧壁、背腔钝化层、贴片馈线、辐射贴片和背腔顶部参考地;RTD和GSG直流偏置线位于背腔贴片天线上方,辐射贴片经贴片馈线连接至RTD的射频侧,GSG直流偏置线连接至RTD的直流侧。本发明利用RTD与背腔贴片天线的谐振激发出太赫兹振荡信号,经集成的背腔谐振增强后,通过辐射贴片实现空气侧的高增益辐射,可有效降低太赫兹波在衬底侧的损耗;相比于传统在衬底侧加载Si透镜的方式,本发明集成的背腔结构具有微型化和低剖面的优势,可满足应用需求。

本发明授权一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源在权利要求书中公布了:1.一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振隧穿二极管辐射源,其特征在于,包括衬底,以及位于衬底上方的RTD、背腔贴片天线、GSG直流偏置线和两个稳定电阻; 所述背腔贴片天线包括背腔底部参考地、背腔金属侧壁、背腔钝化层、贴片馈线、辐射贴片和背腔顶部参考地; 其中,RTD和背腔底部参考地位于衬底上表面;背腔钝化层位于背腔底部参考地上表面;背腔金属侧壁位于背腔钝化层内部,呈开口环形结构;贴片馈线、辐射贴片、背腔顶部参考地和GSG直流偏置线均位于背腔钝化层上表面;辐射贴片与贴片馈线相连,辐射贴片具体位于背腔金属侧壁的环形结构内部区域,贴片馈线具体位于背腔金属侧壁的开口侧区域;贴片馈线连接至RTD的射频侧,GSG直流偏置线连接至RTD的直流侧;背腔顶部参考地围绕贴片馈线、辐射贴片和RTD设置,并与贴片馈线、辐射贴片之间留有缝隙,与RTD形成欧姆接触;GSG直流偏置线的两条地线连接至背腔顶部参考地;两个稳定电阻分别位于GSG直流偏置线中地线与信号线之间的缝隙中,并靠近GSG直流偏置线与RTD的连接端;背腔金属侧壁的底端连接至背腔底部参考地,顶端连接至背腔顶部参考地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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