广州华星光电半导体显示技术有限公司乔磊获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119815924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411999765.0,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板及显示面板是由乔磊;刘美琪;李昊;李雨琦;刘忠杰;李珊设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了:本申请公开了一种阵列基板及显示面板,包括显示区,阵列基板的显示区包括基板、第一透明电极层、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二透明电极层以及第二金属层;第一透明电极层设于基板上,第一透明电极层包括公共电极;第一金属层设于第一透明电极层远离基板的一表面,第一金属层包括栅极;栅极绝缘层设于基板上,且栅极绝缘层覆盖公共电极及栅极;半导体层设于栅极绝缘层远离基板的一表面;第二透明电极层设于栅极绝缘层远离基板的一表面,第二透明电极层包括像素电极;第二金属层设于第二透明电极层远离基板的一表面,第二金属层包括源极及漏极。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区,所述阵列基板的显示区包括: 基板; 第一透明电极层,所述第一透明电极层设于所述基板上,所述第一透明电极层包括公共电极; 第一金属层,所述第一金属层设于所述第一透明电极层远离所述基板的一表面,所述第一金属层包括栅极; 栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述基板上,且所述栅极绝缘层覆盖所述公共电极及所述栅极; 半导体层,所述半导体层设于所述栅极绝缘层远离所述基板的一表面; 第二透明电极层,所述第二透明电极层设于所述栅极绝缘层远离所述基板的一表面,所述第二透明电极层包括像素电极; 第二金属层,所述第二金属层设于所述第二透明电极层远离所述基板的一表面,所述第二金属层包括源极及漏极; 所述第二透明电极层还包括第一辅助电极,所述第一辅助电极位于所述半导体层与所述第二金属层之间,且第一辅助电极与所述像素电极及所述漏极电连接; 所述阵列基板的显示区还包括钝化层,所述钝化层设于所述源极及所述漏极远离所述基板的一侧,且所述钝化层覆盖所述像素电极; 所述钝化层包括第一水平钝化部、垂直钝化部以及第二水平钝化部,所述第一水平钝化部通过所述垂直钝化部与所述第二水平钝化部连接,所述第一水平钝化部的顶面高于所述第二水平钝化部的顶面; 其中,在所述阵列基板的俯视图中,所述第一水平钝化部的一部分与所述第一辅助电极重叠,所述第二水平钝化部的一部分与所述像素电极重叠; 所述阵列基板的显示区还包括扫描线、第一支撑柱以及第二支撑柱,所述扫描线设于所述基板上,所述第一支撑柱设于所述钝化层远离所述基板的一表面,所述第二支撑柱设于所述钝化层远离所述基板的一表面; 其中,在所述阵列基板的俯视图中,所述第一支撑柱覆盖所述半导体层,所述第二支撑柱与所述扫描线重叠。
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