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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119830560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411893315.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法是由黄晓伟;陈宇浩;盛新庆设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法，涉及电磁仿真技术领域，该方法为对等离子体流场进行采样，得到等离子体的电磁参数数据；基于等离子体的电磁参数数据，通过解析方法计算出面元上的等效反射率，构建等效反射率模型；利用等效反射率模型，使用改进的物理光学法计算等离子体鞘套的散射特性，得到雷达散射截面积；判断雷达散射截面积是否收敛，若不收敛则增加等离子体采样层数，重新采样，若收敛，则将所述雷达散射截面积作为电磁散射结果，完成对等离子体鞘套的电磁散射计算。本发明解决了等离子体鞘套电磁散射计算资源消耗大和速度慢的问题。

本发明授权基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法在权利要求书中公布了：1.基于等效反射率模型的等离子体鞘套电磁散射计算方法，其特征在于，包括： S1：对等离子体流场进行采样，得到等离子体的电磁参数数据； S2：基于所述等离子体的电磁参数数据，通过计算，得到介质交界面的反射率； 所述介质交界面的反射率的表达式为： ； ； ； 其中，表示第层介质和第层介质交界面的反射率，表示介质中的波阻抗，表示虚数单位，表示电磁波在介质中传播距离时对应的相位差，表示第层介质，表示介质中的波阻抗，表示电磁波波长，表示介质的相对介电常数，表示电磁波在介质中传播距离，表示介质的相对磁导率，表示自由空间中的磁导率，表示自由空间中的介电常数； 利用所述介质交界面的反射率，通过计算，得到等离子体鞘套表面面元上的等效反射率； 所述等离子体鞘套表面面元上的等效反射率的表达式为： ； 其中，表示等离子体鞘套表面面元上的等效反射率，表示第层介质和第层介质交界面的反射率，表示第层介质和第层介质交界面的反射率，表示虚数单位，表示电磁波在介质中传播距离时对应的相位差； 综合等离子体鞘套表面所有面元上的等效反射率，得到等效反射率模型； S3：利用所述等效反射率模型，使用改进的物理光学法计算等离子体鞘套的散射特性，得到雷达散射截面积； 所述雷达散射截面积的表达式为： ； ； 其中，表示雷达散射截面积，表示观察距离，表示入射电场，表示散射场，表示虚数单位，表示涂覆介质中的波数，表示照射区域面积，表示法向矢量，表示出射方向，表示入射磁场，表示区域中心位置矢量，表示入射方向指向出射方向的矢量，，表示入射方向，表示等效反射率模型中每个面元的反射率； S4：判断所述雷达散射截面积是否收敛，若不收敛则增加等离子体采样层数，返回S1重新采样，若收敛，则将所述雷达散射截面积作为电磁散射结果，完成对等离子体鞘套的电磁散射计算。

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