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龙图腾网获悉华天科技(江苏)有限公司申请的专利一种硅桥芯片封装方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411978082.7，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种硅桥芯片封装方法及结构是由付东之;马书英;陈志华设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅桥芯片封装方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅桥芯片封装方法及结构，可以降低制程成本，改善封装体的散热效果，在硅片的第一表面上制作硅通孔和第一介电质层，避开所述硅通孔制作凹槽，将硅桥芯片贴装到凹槽中，在硅片的第一表面上设置重布线层，在重布线层上设置焊接凸点，焊接凸点通过重布线层上的线路连接到硅桥芯片；将至少两个芯片与焊接凸点相连接，使得芯片之间通过硅桥芯片实现连接，对硅片的第一表面进行塑封，减薄硅片远离硅桥芯片的第二表面直至硅通孔的底部露出，再制作第二介电质层，再设置金属凸块，减薄硅片的第一表面上的塑封层使得芯片的背面露出，切割硅片成单颗封装体，并通过金属凸块倒转焊接到基板的第一表面上，在基板的第二表面上设置锡球。

本发明授权一种硅桥芯片封装方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种硅桥芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：提供一硅片，在硅片的第一表面上制作硅通孔，并在硅片的同一面上制作第一介电质层，所述硅通孔中填充有导电材料； 步骤二：在所述硅片的第一表面上避开所述硅通孔制作凹槽，所述凹槽与硅桥芯片相适配； 步骤三：将硅桥芯片贴装到凹槽中，填充所述硅桥芯片与所述凹槽之间的缝隙； 步骤四：在硅片的第一表面上设置重布线层，在重布线层上设置焊接凸点，所述焊接凸点通过重布线层上的线路连通所述硅桥芯片； 步骤五：将至少两个芯片与所述焊接凸点相连接，使得所述芯片之间通过硅桥芯片实现连接； 步骤六：填充芯片与重布线层之间的缝隙，对硅片的第一表面进行塑封； 步骤七：减薄所述硅片远离硅桥芯片的第二表面，直至所述硅通孔的底部露出，然后在所述硅片的第二表面上制作第二介电质层； 步骤八：在所述硅片的第二表面上设置金属凸块，所述金属凸块与所述硅通孔的底部相连通；减薄所述硅片的第一表面上的塑封层，使得所述芯片的背面露出； 步骤九：将经步骤八得到的重构晶圆切割成单颗封装体，并通过金属凸块倒转焊接到基板的第一表面上，填充所述单颗封装体与所述基板的缝隙，在基板的第二表面上设置锡球。

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