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龙图腾网获悉芜湖协鑫集成新能源科技有限公司申请的专利TBC太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411983576.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权TBC太阳能电池及其制备方法是由郭祥泰;余宗保;许志敏;徐大鹏;翁航设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本TBC太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开公开TBC太阳能电池及其制备方法，TBC太阳能电池的制备方法包括：对N型硅衬底清洗抛光；背面沉积第一隧穿氧化层和第一本征多晶硅层；硼扩；激光开槽，刻蚀清洗；背面沉积第二隧穿层和第二本征多晶硅层；磷扩；激光开槽，刻蚀清洗；双面沉积氧化铝膜、减反膜；制备金属电极。本公开通过在掺硼多晶硅层上得加掺磷多晶硅层，夹层的第二隧穿层会形成二次吸杂效应，提高了掺硼多晶硅层的钝化水平。两个PN结形成的内建电场产生更多载流子，迫使空穴更多在掺硼多晶硅层处聚集以及横向传输，更容易被金属电极收集，在不增加工序流程的基础上，增加背面绒面结构以及载流子收集优化结构。

本发明授权TBC太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TBC太阳能电池，其特征在于，所述TBC太阳能电池包括硅衬底，所述硅衬底具有相对的正面和背面，所述硅衬底的背面沿第一方向间隔交替排布有第一区与第二区，所述第一区与所述第二区之间具有间隔区，所述第一方向与硅衬底的厚度方向相垂直； 所述第一区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的第一PN结、第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层； 所述第一掺杂多晶硅层表面具有第一子区和沿第一方向设置在所述第一子区两端的第二子区，所述第一子区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的绒面结构、钝化层；所述第二子区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置有介电层、第二掺杂多晶硅层、钝化层； 所述间隔区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的绒面结构、钝化层； 所述第二区包括在远离所述衬底背面方向上依次设置的第二PN结、第二隧穿层、第二掺杂多晶硅层、钝化层； 所述硅衬底的正面包括在远离所述衬底正面方向上依次设置的绒面结构、钝化层； 所述TBC太阳能电池还包括第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一子区，所述第一电极分别穿过所述钝化层与所述第一掺杂多晶硅层接触；所述第二电极位于所述第二区，所述第二电极分别穿过所述钝化层与所述第二掺杂多晶硅层接触； 所述介电层为氧化硅层，含有第一掺杂元素和第二掺杂元素。

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