买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基半导体蓝光激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031485.9，技术领域涉及：H01S5/32；该发明授权一种氮化镓基半导体蓝光激光器是由郑锦坚;寻飞林;邓和清;蓝家彬;张会康;黄军;刘紫涵;蔡鑫;李晓琴;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基半导体蓝光激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化镓基半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层和上限制层之间设置有拓扑界面态层，所述拓扑界面态层具有击穿场强分布特性和电子亲和能分布特性。通过拓扑界面态层的特定击穿场强分布和电子亲和能分布共同协作，形成新的体边界能带，在界面处形成强的自旋中心，增强相邻界面态间耦合和电子能带结构的自旋分裂不对称性，增强自旋轨道力矩效应，缓解激光元件的压电极化和热应力失配，降低价带带阶，提升价带带阶均匀性，提升载流子注入有源层的均匀性，改善增益均匀性。

本发明授权一种氮化镓基半导体蓝光激光器在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和上限制层之间设置有拓扑界面态层，所述拓扑界面态层具有击穿场强分布特性和电子亲和能分布特性，所述拓扑界面态层的击穿场强具有函数y1＝A+B*arccoshx曲线分布，所述拓扑界面态层的电子亲和能具有函数y2＝C+E*exx第一象限曲线分布，x为拓扑界面态层往上限制层方向的深度； 所述拓扑界面态层还具有价带有效态密度分布特性，所述拓扑界面态层的价带有效态密度具有函数y3＝F+G*x2+H*sinx曲线分布； 所述拓扑界面态层还具有弹性系数分布特性，所述拓扑界面态层的弹性系数具有函数y4＝J+K*lnx+1-L*ex曲线分布； 所述拓扑界面态层还具有InSi元素比例分布特性，所述拓扑界面态层的InSi元素比例具有函数y5＝M+N*x-ax第一四象限曲线分布，其中，a为系数，且0＜a＜1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽格恩半导体有限公司，其通讯地址为：237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。