大连海事大学彭冉获国家专利权
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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119869634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510156019.3，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片及其加工方法是由彭冉;王晨杰;毛恒文;贺传龙设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片及其加工方法，包括下极板和上极板，上、下极板之间通过导电胶带进行连接；所述下极板由多层结构组成，从下至上依次包括FPC基底、电极层、第一PDMS黏附层、PI介电薄膜和第一疏水层，其中所述PI介电薄膜和第一疏水层构成可更换疏水介电薄膜，所述上极板从下至上依次包括第二疏水层、ITO‑PET薄膜、第二PDMS黏附层和玻璃基板。本发明公开的芯片加工方法中，可快速更换的定制型疏水介电层薄膜，能够实现芯片上操纵区域的定制化控制，同时极大程度地降低了使用后直接更换整个芯片的成本。
本发明授权一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种可快速更换疏水介电薄膜的数字微流控芯片，其特征在于，包括下极板和上极板，上、下极板之间通过导电胶带进行连接；所述下极板由多层结构组成，从下至上依次包括FPC基底、电极层、第一PDMS黏附层、PI介电薄膜和第一疏水层，其中所述PI介电薄膜和第一疏水层构成可更换疏水介电薄膜，所述上极板从下至上依次包括第二疏水层、ITO-PET薄膜、第二PDMS黏附层和玻璃基板； 第二PDMS黏附层、第一PDMS黏附层均通过旋涂的方法，分别加工在下极板的FPC基底表面和上极板的所述玻璃基板上； 所述PI介电薄膜和ITO-PET薄膜表面构建疏水层后分别贴合在所述第一PDMS黏附层和第二PDMS黏附层上； 所述疏水层为固含量1%的PyflonT8疏水涂层，通过旋涂或超声喷涂的方式加工在所述PI介电薄膜和ITO-PET薄膜上，所述PI介电薄膜的厚度为3~5μm，所述疏水层厚度为200~400nm。
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