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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利电压基准结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510037869.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权电压基准结构及其应用是由吴增远;邢娟;薛俊民;王恒;蔡勇设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压基准结构及其应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于III‑V族化合物的电压基准结构及其应用。在一个实施例中，所述电压基准结构包括GaNHEMT和源极串联电阻；该HEMT的源极与该电阻串联在一导电线路上，并用于连接电源的负极或接地，且该导电线路上设有参考电压输出点，参考电压输出点设置在该HEMT的源极与该电阻之间；该HEMT的栅极用于连接电源的负极或接地，该HEMT的漏极用于连接电源的正极；该电压基准结构输出的参考电压与该HEMT及该电阻的工作参数满足设定关系。本申请的电压基准结构的结构简单，无需使用增强型器件，能够产生性能良好的电压基准，特别是通过采用多电阻串联形式，可以构成多电压大小的输出，从而很好地满足包括单极性电源电路在内的多种应用场景的使用需求。

本发明授权电压基准结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种电压基准结构，其特征在于，包括基于III-V族化合物的高电子迁移率场效应晶体管1和源极串联电阻2；所述晶体管1的源极与所述源极串联电阻2串联在一导电线路上，并用于连接电源的负极或接地，且所述导电线路上设有参考电压输出点3；所述晶体管的栅极用于连接电源的负极或接地，所述晶体管的漏极用于连接电源的正极； 其中，所述晶体管1的源极与栅极相互电连接后再与所述源极串联电阻2串联，所述参考电压输出点3设置在所述晶体管的栅极和源极的电连接点与所述晶体管的源极之间，所述参考电压输出点3输出的参考电压Vref与所述晶体管1及源极串联电阻2的工作参数的关系满足式I： 或者，所述晶体管1的源极与所述源极串联电阻2串联后再与栅极相互电连接，所述参考电压输出点3设置在所述晶体管1的源极与所述源极串联电阻2之间，所述参考电压输出点3输出的参考电压Vref与所述晶体管1及源极串联电阻2的工作参数的关系满足式II： 所述式I为： 所述式II为： 其中，R为所述源极串联电阻的电阻值，IDSsat为所述晶体管的饱和区电流，LES为所述源极串联电阻的长度，WES为所述源极串联电阻的宽度，nRES为载流子密度，q为电荷量，A、B、C、D、α、β、γ和δ为拟合系数，T为所述电压基准结构的环境温度，RCRES为所述源极串联电阻中欧姆金属与电阻材料的接触电阻率，ε*、εo分别为相对介电常数、真空介电常数，d为所述晶体管的势垒层厚度，W为所述栅极的宽度，L为所述栅极的长度，RC为所述源极及漏极的电极金属欧姆接触的接触电阻率，VGS为所述栅极与源极的电压差，LGS为所述晶体管的栅源距离，n为所述晶体管的沟道二维电子气的面密度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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