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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119886043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411675131.X，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法及系统是由冯超超;成泽祥;赵振宇;黄鹏程;何小威;乐大珩;赵学谦;马驰远;游卉擎;王永文设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法及系统，本发明包括获取待优化的时序路径上所有单元；分别对每一个单元进行晶体管级延时优化得到延时优化后的时序路径；针对延时优化后的时序路径进行仿真获得优化后的路径延时，并在其中选择相对原始的时序路径延时变化最大的n个单元作为n个延时敏感单元，其中n小于等于N；针对选择的n个延时敏感单元按照延时优化对应的修改重新绘制版图。本发明旨在解决集成电路路径延时优化时难以确定路径上的延时敏感单元以及单元内需要优化的晶体管尺寸的问题，实现基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化以快速高效地优化路径延时。

本发明授权一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于电路拓扑结构的晶体管级延时优化方法，其特征在于，包括下述步骤： 1获取待优化的时序路径上所有的N个单元； 2分别对每一个单元进行晶体管级延时优化得到延时优化后的时序路径； 3针对延时优化后的时序路径进行仿真获得优化后的路径延时，并在其中选择相对原始的时序路径延时变化最大的n个单元作为n个延时敏感单元，其中n小于等于N； 4针对选择的n个延时敏感单元按照延时优化对应的修改重新绘制版图； 步骤2包括： 2.1在N个单元中遍历获取一个单元作为当前单元，如果遍历成功则跳转执行步骤2.2，否则判定已经得到延时优化后的时序路径，跳转执行步骤3； 2.2查找计算当前单元内的每个晶体管含栅的数量gate_num，每根栅含鳍片Fin的数量nfin以及鳍片Fin的总数all_fin_num； 2.3结合当前单元内的每个晶体管含栅的数量gate_num，每根栅含鳍片Fin的数量nfin以及鳍片Fin的总数all_fin_num，根据单元类型基于电路结构对当前单元内的晶体管中栅的数量进行修改以实现晶体管级延时优化，跳转执行步骤2.1； 步骤2.2包括： 2.2.1从当前单元的标准单元网表中按行读取行内容cell_line，如果读取成功则跳转执行步骤2.2.2，否则跳转执行步骤2.2.3； 2.2.2若读取的行内容cell_line中的输入端、输出端、接源或漏极、为N或P型、含有fin数量这五个要素与要查找的晶体管相符合，则读取该行内容cell_line中鳍片Fin的数量为每根栅含鳍片Fin的数量nfin；跳转执行步骤2.2.1； 2.2.3记录五个要素与要查找的晶体管相符合的行数作为当前单元内要查找的晶体管含栅的数量gate_num，将每根栅含鳍片Fin的数量nfin和当前单元内的每个晶体管含栅的数量gate_num相乘得到每个晶体管中鳍片Fin的总数all_fin_num；跳转执行步骤2.3。

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