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龙图腾网获悉四川中星电子有限责任公司申请的专利一种精密薄膜电容器制造加工方法、装置、设备以及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119889927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510063682.9，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权一种精密薄膜电容器制造加工方法、装置、设备以及介质是由徐清全;李学权设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种精密薄膜电容器制造加工方法、装置、设备以及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种精密薄膜电容器制造加工方法、装置、设备以及介质，包括：基于等离子放电，对基膜的蒸镀面进行等离子处理；确定金属化膜的宽度以及金属串数量，以及在金属化膜的宽度和金属串数量下对应的边镀层宽度偏差以及对应的中镀层宽度偏差，并进行蒸镀，得到覆盖金属层的金属化膜；按照预设切割方式，对金属化膜进行切割，其中，预设切割方式包括直切、单边波浪切割以及双边波浪切割；按照预设步骤对金属化膜处理，得到精密薄膜电容器，其中，预设步骤包括：卷绕、热压、喷金、焊接以及封装。本发明属于电容制造领域。基于本发明提供的方法制造的电容可以具备良好的耐高温以及噪音低的优势。

本发明授权一种精密薄膜电容器制造加工方法、装置、设备以及介质在权利要求书中公布了：1.一种精密薄膜电容器制造加工方法，其特征在于，所述方法包括： 基于等离子放电，对基膜的蒸镀面进行等离子处理，得到金属化膜； 确定所述金属化膜的宽度以及金属串数量，以及在所述金属化膜的宽度和金属串数量下对应的边镀层宽度偏差以及对应的中镀层宽度偏差，并进行蒸镀，得到覆盖金属层的金属化膜，包括：当所述金属化膜的宽度≤14.5mm，且金属串数量的数量为奇数时，边镀层宽度偏差以及中镀层宽度偏差均为±0.15mm；当所述金属化膜的宽度≤14.5mm，且金属串数量的数量为偶数时，边镀层宽度偏差为±0.30mm，中镀层宽度偏差为±0.15mm；当所述金属化膜的宽度＞14.5mm且≤38mm时，金属串数量的数量为奇数时，边镀层宽度偏差以及中镀层宽度偏差均为±0.20mm；当所述金属化膜的宽度＞14.5mm且≤38mm时，金属串数量的数量为偶数时，边镀层宽度偏差为±0.40mm，中镀层宽度偏差为±0.20mm；当所述金属化膜的宽度＞38mm时，且金属串数量的数量为奇数时，边镀层宽度偏差为±0.30mm，中镀层宽度偏差为±0.20mm；当所述金属化膜的宽度＞38mm时，且金属串数量的数量为偶数时，边镀层宽度偏差为±0.60mm，中镀层宽度偏差为±0.20mm； 按照预设切割方式，对所述金属化膜进行切割，其中，预设切割方式包括直切、单边波浪切割以及双边波浪切割； 按照预设步骤对所述金属化膜处理，得到精密薄膜电容器，其中，预设步骤包括：卷绕、热压、喷金、焊接以及封装。

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