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杭州富芯半导体有限公司苏文华获国家专利权

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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119890016B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411903572.0,技术领域涉及:H01J37/244;该发明授权离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备是由苏文华;何太延设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备在说明书摘要公布了:本申请涉及一种离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备。该离子束检测装置,包括离子束偏转单元、第一法拉第检测单元和处理单元。离子束偏转单元具有离子束传输通道,用于控制离子束传输通道内的离子束沿目标方向出射。第一法拉第检测单元位于离子束偏转单元出射离子束的一侧,用于沿第二方向往复运动,并获取目标方向与第一方向相同时至少一个检测周期内的第一离子束波形,目标方向相对第一方向偏转时至少一个检测周期内的第二离子束波形。处理单元与第一法拉第检测单元连接,被配置为:比较第一离子束波形和第二离子束波形的波形差异,以根据波形差异确定离子束的真实注入能量。本申请用于准确测量离子束的真实注入能量。

本发明授权离子束检测装置及离子束检测方法、离子注入设备在权利要求书中公布了:1.一种离子束检测装置,其特征在于,包括: 离子束偏转单元,具有离子束传输通道,用于控制所述离子束传输通道内的离子束沿目标方向出射;所述离子束传输通道沿第一方向延伸,所述目标方向与所述第一方向相同或相对所述第一方向偏转; 第一法拉第检测单元,位于所述离子束偏转单元出射离子束的一侧,用于沿第二方向往复运动,并获取所述目标方向与所述第一方向相同时至少一个检测周期内的第一离子束波形,所述目标方向相对所述第一方向偏转时至少一个检测周期内的第二离子束波形;所述第二方向与所述第一方向相交; 处理单元,与所述第一法拉第检测单元连接,被配置为:比较所述第一离子束波形和所述第二离子束波形的波形差异,以根据所述波形差异确定所述离子束的真实注入能量; 其中,所述根据所述波形差异确定所述离子束的真实注入能量,包括: 若所述第一离子束波形和所述第二离子束波形之间相对平移且二者波形相同或二者的波形差异小于等于第一目标阈值,则所述离子束的真实注入能量满足制程目标; 若所述第一离子束波形和所述第二离子束波形相对平移且二者的波形差异大于第二目标阈值,则所述离子束的真实注入能量未满足制程目标,输出离子束能量调整信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人杭州富芯半导体有限公司,其通讯地址为:311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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