西安交通大学官鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510057583.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板是由官鑫;宋忠孝;朱晓东;孟瑜设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化硅陶瓷金属化技术领域，具体涉及一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板。陶瓷基板的金属化方法包括以下步骤：采用磁控溅射的方法在陶瓷基板表面依次沉积TiNTi梯度过渡层和Cu种子层，制备得到陶瓷覆铜基板；TiNTi梯度过渡层包括TiN过渡层和Ti过渡层；所述TiN过渡层的厚度在100nm～600nm；所述Ti过渡层的厚度在100nm～200nm。本发明通过控制TiNTi梯度过渡层的厚度纳米化，解决现有的氮化硅陶瓷基板的金属化方法仍然存在制备工艺复杂，金属与陶瓷界面应力大导致界面结合差以及多层界面的高热阻会降低散热性能的问题。
本发明授权一种陶瓷基板的金属化方法及陶瓷覆铜基板在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基板的金属化方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用磁控溅射的方法在陶瓷基板表面依次沉积TiNTi梯度过渡层和Cu种子层，制备得到陶瓷覆铜基板； TiNTi梯度过渡层仅包括TiN过渡层和Ti过渡层；所述Ti过渡层的厚度在100nm～200nm； 所述TiN过渡层具有至少两层，每层所述TiN过渡层的厚度均在100nm～200nm，且随着TiN过渡层的数量的增加，沉积TiN过渡层的过程中控制氮气含量由40%～45%逐渐递减。
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