芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司李富民获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利ESD结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510226838.0，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权ESD结构及半导体器件是由李富民设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本ESD结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种ESD结构，包括衬底及位于所述衬底内的隔离阱区、至少一个第一阱区和至少一个第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区沿预定方向交替排布，所述隔离阱区位于所述第一阱区和所述第二阱区之外，所述第一阱区内具有第一接触区，所述第二阱区内具有沿所述预定方向间隔排布的两个第二接触区，所述隔离阱区内具有隔离接触区；所述第一阱区、所述隔离阱区、所述隔离接触区及所述第二阱区中的其中一个所述第二接触区具有第一掺杂类型，所述第二阱区、所述第一接触区及所述第二阱区中的另一个所述第二接触区具有第二掺杂类型。本申请中的ESD结构面积较小，能够极大节约器件的面积。此外，本申请还提供了一种包含上述ESD结构的半导体器件。
本发明授权ESD结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种ESD结构，其特征在于，包括衬底及位于所述衬底内的隔离阱区、至少一个第一阱区和至少一个第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区沿预定方向交替排布，所述隔离阱区位于所述第一阱区和所述第二阱区之外，所述第一阱区内具有一个第一接触区，所述第二阱区内具有沿所述预定方向间隔排布的两个第二接触区，所述隔离阱区内具有隔离接触区； 所述第一阱区、所述隔离阱区、所述隔离接触区及所述第二阱区中的其中一个所述第二接触区具有第一掺杂类型，所述第二阱区、所述第一接触区及所述第二阱区中的另一个所述第二接触区具有第二掺杂类型； 所述隔离阱区呈环状并环绕所述第一阱区和所述第二阱区设置；或者所述隔离阱区设置于所述第一阱区和所述第二阱区的一侧，所述第二接触区用于接高电势，所述隔离接触区及所述第一接触区用于接低电势。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号-17；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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