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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119931110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510160246.3，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法是由任凤梅;夏宇杰;陈家林;潘利伟;赵刚;吴秦雄;蒋乔木设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法，包括步骤：将0.019‑0.021mol芳香族二酐、0.017‑0.023mol二胺单元在0.45‑0.48mol溶剂中反应，然后加入溶解在0.13‑0.15mol溶剂的0.0004mol封端剂进行反应，制备主链含邻羟基的聚酰胺酸；二胺单元包括10％‑40％摩尔量的主链含邻羟基的单体和余量的芳香族二胺；将聚酰胺酸经涂膜、热亚胺化制备聚酰亚胺薄膜；加热使得邻羟基进行热重排反应，得到主链含噁唑环的共聚聚酰亚胺薄膜。本发明制备的共聚聚酰亚胺薄膜的介电常数为2.7‑3.0，热膨胀系数为19.5‑26.5ppmK。

本发明授权一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低介电常数和低热膨胀系数的共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将0.019-0.021mol芳香族二酐、0.017-0.023mol二胺单元在0.45-0.48mol溶剂中反应，然后加入溶解在0.13-0.15mol溶剂的0.0004mol封端剂进行反应，制备主链含邻羟基的聚酰胺酸； 其中，所述二胺单元包括10%-40%摩尔量的主链含邻羟基的单体和余量的芳香族二胺； S2、将聚酰胺酸经涂膜、热亚胺化制备聚酰亚胺薄膜； S3、将制备的聚酰亚胺薄膜加热使得邻羟基进行热重排反应，得到主链含噁唑环的共聚聚酰亚胺薄膜； 所述步骤S1中，主链含邻羟基的单体采用2,2-双4-羟基-3-氨基苯基丙烷；芳香族二酐采用4,4'-联苯醚二酐、均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、双酚A型二醚二酐中的至少一种；芳香族二胺采用4,4'-二氨基二苯醚、2-4-氨基苯基-5-氨基苯并咪唑、2,2'-双三氟甲基-4,4'-二氨基苯基醚中的至少一种；封端剂采用氨基丙基庚基-笼形聚倍半硅氧烷。

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