中国科学院上海技术物理研究所张燕辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种碲纳米线的制备方法以及碲纳米线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875332.4，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种碲纳米线的制备方法以及碲纳米线是由张燕辉;杨再洪;范柳燕;陈平平;张孜腾;周灿;周孝好设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碲纳米线的制备方法以及碲纳米线在说明书摘要公布了：本发明提供一种碲纳米线的制备方法和碲纳米线，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1提供一洁净衬底；S2将步骤S1衬底传入分子束外延MBE预处理室进行除气处理；S3将步骤S2衬底传入分子束外延MBE生长室进行脱氧处理；S4将步骤S3衬底降温至生长温度；S5将碲源束流调到生长值，在步骤S4衬底上生长碲纳米线；其中，步骤S3～S5在高能电子衍射监控下完成；步骤S3～S5中的衬底处于旋转状态；步骤S1～S5在真空环境下进行。本发明提供的制备方法能够实现大面积高纯度、且成型均匀的碲纳米线阵列的制备。
本发明授权一种碲纳米线的制备方法以及碲纳米线在权利要求书中公布了：1.一种碲纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： S1、提供一洁净衬底； S2、将步骤S1所述衬底传入分子束外延MBE预处理室进行除气处理； S3、将步骤S2所述衬底传入分子束外延MBE生长室进行脱氧处理； S4、将步骤S3所述衬底降温至生长温度； S5、将碲源束流调到生长值，在步骤S4所述衬底上生长碲纳米线； 其中，所述步骤S3和步骤S5在高能电子衍射监控下完成；所述步骤S3和步骤S5中的所述衬底处于旋转状态；所述步骤S1~步骤S5在真空环境下进行； 其中，所述碲源束流为碲单质源束流，所述碲单质源束流的生长值为1x10-7-1x10-5Torr，所述生长温度为-200℃~200℃。
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