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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119937720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031684.X，技术领域涉及：G05F7/00；该发明授权一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统是由吕以亮;王宁;葛翱铭;叶艳平;康志伟;彭涛设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统在说明书摘要公布了：本申请属于脉冲磁体领域，具体公开了一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统，复合母排结构包括：N组母排；每组母排包括：正母排和负母排；N组母排分散分布设置在磁隔离开关内外部，正母排的一端连接一个电容器的正极，另一端绝缘穿过磁隔离开关内部，负母排的一端连接该电容器的负极，另一端绝缘紧贴在磁隔离开关外部；正母排和负母排均由多个子母排连接构成，同种类的子母排相互平行对齐；第一种子母排为平行于磁隔离开关径向的子母排，第二种子母排为平行于磁隔离开关轴向的直板式子母排，第三种子母排为平行于磁隔离开关轴向的圆弧状子母排。通过本申请，实现单匝线圈磁体的低电感复合母排结构，进而显著提高磁场强度。

本发明授权一种复合母排结构及具有其的单匝线圈磁体系统在权利要求书中公布了：1.一种复合母排结构，所述复合母排结构用于将多个电容器与磁隔离开关连接，其特征在于，复合母排结构包括：N组母排；每组母排包括：正母排和负母排，N为大于1的整数； 所述N组母排分散分布设置在磁隔离开关内外部，每组母排中正母排的一端连接一个电容器的正极，另一端绝缘穿过所述磁隔离开关内部，负母排的一端连接该电容器的负极，另一端绝缘紧贴在磁隔离开关外部；所述正母排和负母排均由多个子母排连接构成，所述多个子母排包括第一种子母排、第二种子母排和第三种子母排中的至少两种的至少一个，所述正母排和或负母排中同种类的子母排相互平行对齐；所述第一种子母排为平行于磁隔离开关径向的子母排，所述第二种子母排为平行于磁隔离开关轴向的直板式子母排，所述第三种子母排为平行于磁隔离开关轴向的圆弧状子母排； 所述N组母排中多组合并分为M个母排组合，每个母排组合内的所有正母排的另一端在分别穿过所述磁隔离开关内部后相互连接，所有负母排的另一端在分别紧贴在磁隔离开关外部后相互连接，以将对应的多个电容器通过磁隔离开关并联；M为大于0的整数，M小于等于N，每组母排组合包括至少一组母排。

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