中国电子科技集团公司信息科学研究院;杭州电子科技大学张劭春获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司信息科学研究院;杭州电子科技大学申请的专利经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119940259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510442847.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用是由张劭春;王大伟;杨凝;李森森;洪力;崔晶宇;单元浩设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及封装互连可靠性分析技术领域，提供了一种经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用。本公开实施例采用金属导电细丝紧凑模型来解释相关物理现象，并结合用于描述电阻退化现象的电阻退化模型构建SPICE等效电路模型，将TDDB效应转化为电路参数的变化，有效描述了介质层在电场应力下的动态退化过程，实现了对器件寿命预测、电流与电阻退化过程的建模，大幅简化了计算过程，同时引入用于描述工艺不确定性的工艺容差模型构建经时击穿SPICE电路模型，不仅提升了计算效率，还保持了较高的建模精度，具有显著的工程应用潜力，可在介质击穿效应的评估设计阶段识别潜在风险，并通过优化设计显著提升其可靠性。
本发明授权经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种经时击穿SPICE电路模型的构建方法，其特征在于，所述构建方法包括： 将金属导电细丝紧凑模型和电阻退化模型组成SPICE等效电路模型； 将用于描述工艺不确定性的工艺容差模型加入所述SPICE等效电路模型，得到经时击穿SPICE电路模型； 所述电阻退化模型用于描述电阻退化现象；所述电阻退化模型包括在所述金属导电细丝紧凑模型中的介质层性能下降过程中的电阻，以实现器件寿命预测；所述SPICE等效电路模型用于将经时击穿效应转化为电路参数的变化，描述介质层在电场应力下的动态退化过程。
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