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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510177746.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用是由万志鑫;徐格;余威;张世宏设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种采用ALD制备TaNTa2O5复合薄膜的方法及其应用，包括以下步骤：基材预处理：选择基材，对基材进行抛光研磨，超声清洗后吹干；将预处理的基材放入ALD腔室，抽真空后，通过复合交替沉积工艺制备TaNTa2O5双层薄膜。在TaN薄膜表面生长一层致密的Ta2O5膜，覆盖在表面，帮助其抵抗腐蚀介质侵蚀，有效改善TaN的耐腐蚀性能，进一步提高TaN薄膜在腐蚀介质中的稳定性和可靠性。

本发明授权一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种采用ALD制备TaNTa2O5复合薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，基材预处理：选择基材，对基材进行抛光研磨，超声清洗后吹干； S2，将步骤S1中预处理的基材放入ALD腔室，抽真空后，沉积得到TaNTa2O5复合薄膜，所述TaNTa2O5复合薄膜为TaNTa2O5双层薄膜结构或TaNTa2O5多层薄膜结构； 沉积所述TaNTa2O5双层薄膜的具体步骤如下： S211，Ta源前驱体TBTDET，在300℃下，用NH3作为共反应物在基底上沉积TaN，流量为100sccm，Ar为吹扫气体，流量为400sccm； S212，再用H2O作为共反应物沉积Ta2O5在TaN薄膜上，将TBTDET和H2O的脉冲时间固定为0.3s和0.02s，其中Ar脉冲时间分别为前驱体后10s以及水蒸气体后20s，沉积后得到TaNTa2O5双层薄膜；沉积TaN的沉积周期为330，沉积Ta2O5的沉积周期为450； 沉积所述TaNTa2O5多层薄膜结构的具体步骤如下： S221，Ta源前驱体TBTDET，在300℃下，用NH3作为共反应物在基底上沉积TaN； S222，再用H2O作为共反应物沉积Ta2O5在TaN薄膜上，将TBTDET和H2O的脉冲时间固定为0.3s和0.02s，其中Ar脉冲时间分别为前驱体后10s以及水蒸气后20s，循环工艺为110+150×3cycle：先在基底上沉积110循环TaN，再沉积150循环Ta2O5在TaN薄膜上，循环三组，得到TaNTa2O5多层薄膜。

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