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龙图腾网获悉武汉泰存科技有限公司申请的专利TLC闪存读取冗余大小计算方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120104513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592913.5，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权TLC闪存读取冗余大小计算方法、装置、电子设备及存储介质是由孙成思;何瀚;王灿;杜聪设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本TLC闪存读取冗余大小计算方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种TLC闪存读取冗余大小计算方法、装置、电子设备及存储介质，涉及TLC闪存技术领域。通过向TLC闪存写入已知的随机生成的二进制数据，并计算出预期数据掩码，对每个读取级别进行多次偏移，对该二进制数据进行读取，得到实际数据掩码，经过实际数据掩码与预期数据掩码的对比，统计计算出每个读取级别的偏移步长，再将各偏移步长相加，得到TLC闪存的读取冗余大小。从而能够计算出不同厂家的TLC闪存的读取冗余大小，进而对不同厂家的TLC闪存的可靠性进行比较。

本发明授权TLC闪存读取冗余大小计算方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种TLC闪存读取冗余大小计算方法，其特征在于，所述方法包括： S210：随机生成二进制数据，将所述二进制数据写入TLC闪存；所述TLC闪存包括多个字线，所述字线包括三个页面，所述页面包括多个存储单元，所述存储单元包括八个状态，八个所述状态由七个读取级别隔离； S220：根据所述二进制数据，计算出各所述页面的预期数据掩码； S230：针对每个所述字线的每个所述页面的每个所述读取级别，对所述读取级别进行第一方向偏移并进行数据读取，得到第一实际数据掩码，根据所述第一实际数据掩码以及所述预期数据掩码，计算出所述读取级别的第一偏移步长；所述第一方向偏移为向左偏移； S240：重复对所述读取级别进行第一方向偏移，直至达到第一预设条件，计算出所述读取级别的最终第一偏移步长； S250：对所述读取级别进行第二方向偏移并进行数据读取，得到第二实际数据掩码，根据所述第二实际数据掩码以及所述预期数据掩码，计算出所述读取级别的第二偏移步长；所述第二方向偏移为向右偏移； S260：重复对所述读取级别进行第二方向偏移，直至达到预设条件，计算出所述读取级别的最终第二偏移步长； S270：循环执行步骤S230至S260，计算出每个所述字线的每个所述页面的每个所述读取级别的最终第一偏移步长以及最终第二偏移步长； S280：将所有所述最终第一偏移步长以及所有所述最终第二偏移步长全部相加，计算得到所述TLC闪存的读取冗余大小。

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