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龙图腾网获悉成都佰维存储科技有限公司申请的专利基于自适应学习的闪存纠错方法及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120148595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510624872.3，技术领域涉及：G11C29/38；该发明授权基于自适应学习的闪存纠错方法及可读存储介质是由王灿;孙成思;何瀚;叶学文;朱佳梅设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自适应学习的闪存纠错方法及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了基于自适应学习的闪存纠错方法及可读存储介质。该方法根据历史纠错数据确定不同偏压类型下的偏移步长，再根据基准电压和偏移步长进行数据读取得到软数据，最后根据基准数据和软数据纠错产生的偏差数据实时优化偏移步长，实现偏移步长和电压偏移的动态调整，相比于传统纠错方法中预设的固定步长，本发明的偏移步长能够根据数据的实际情况进行设定，使得纠错过程能够根据不同闪存单元的实际状态灵活调整偏压情况，有效适应不同应用场景，有效降低闪存数据读取错误的概率。

本发明授权基于自适应学习的闪存纠错方法及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基于自适应学习的闪存纠错方法，其特征在于，包括： 获取基准电压，并根据所述基准电压进行数据读取得到基准数据； 获取与所述基准数据相对应的历史纠错数据，并根据所述历史纠错数据分别确定不同偏压类型的偏移步长； 根据所述偏移步长和所述基准电压，基于当前读取模式进行数据读取得到所述不同偏压类型的软数据，每种读取模式下所述软数据的读取数量不同； 根据所述软数据和所述基准数据确定当前读取模式下是否纠错成功； 若纠错失败，则将当前读取模式切换为下一优先级的读取模式之后，根据所述基准数据与所述软数据之间的偏差数据更新所述偏移步长，并返回执行所述根据所述偏移步长和所述基准电压，基于当前读取模式进行数据读取得到所述不同偏压类型的软数据的步骤，直至纠错成功； 根据所述偏移步长和所述基准电压，基于当前读取模式进行数据读取得到所述不同偏压类型的软数据包括： 根据所述偏移步长和当前读取模式确定所述基准电压分别在所述不同偏压类型下的偏移电压； 根据所述不同偏压类型的偏移电压分别进行数据读取得到所述不同偏压类型的软数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都佰维存储科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区天华二路219号4栋1单元2层1号、2号、3号、4号、5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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