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龙图腾网获悉河源市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种变压等离子体刻蚀系统、方法及刻蚀设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510367218.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种变压等离子体刻蚀系统、方法及刻蚀设备是由李国强;衣新燕;潘宇;欧阳佩东设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种变压等离子体刻蚀系统、方法及刻蚀设备在说明书摘要公布了：本申请涉及等离子体刻蚀技术领域，具体提供了一种变压等离子体刻蚀系统、方法及刻蚀设备，该系统包括：刻蚀反应腔室；刻蚀气体供应组件；电压分布调节组件，设置在待刻蚀晶圆下方，用于调节不同刻蚀区域的电压；刻蚀速率采集组件，设置在刻蚀腔内，用于采集各个刻蚀区域对应的实际刻蚀速率；控制器，用于根据预设刻蚀速率和实际刻蚀速率控制电压分布调节组件调节各个刻蚀区域的电压，以将预设刻蚀速率与各个刻蚀区域的实际刻蚀速率的差值均调节至位于预设范围内；该系统能够有效地解决由于刻蚀速率的分布均匀性降低而导致等离子体刻蚀工艺得到的器件与目标器件不一致、器件性能受到影响甚至产生废品的问题。

本发明授权一种变压等离子体刻蚀系统、方法及刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种变压等离子体刻蚀系统，其特征在于，所述变压等离子体刻蚀系统包括： 刻蚀反应腔室，其包括用于放置待刻蚀晶圆的刻蚀腔，所述待刻蚀晶圆被划分为多个刻蚀区域； 刻蚀气体供应组件，与所述刻蚀腔连通，用于向所述刻蚀腔内供应刻蚀气体； 电压分布调节组件，设置在所述待刻蚀晶圆下方，用于调节不同所述刻蚀区域的电压； 刻蚀速率采集组件，设置在所述刻蚀腔内，用于采集各个所述刻蚀区域对应的实际刻蚀速率； 控制器，用于根据预设刻蚀速率和所述实际刻蚀速率控制所述电压分布调节组件调节各个所述刻蚀区域的电压，以将所述预设刻蚀速率与各个所述刻蚀区域的实际刻蚀速率的差值均调节至位于预设范围内； 所述控制器根据预设刻蚀速率和所述实际刻蚀速率控制所述电压分布调节组件调节各个所述刻蚀区域的电压的过程包括： A1、根据预设刻蚀速率与所述实际刻蚀速率的差值生成各个所述刻蚀区域对应的目标电压调节量； A2、根据所述目标电压调节量控制所述电压分布调节组件调节对应的刻蚀区域的电压； 步骤A1包括： A11、根据预设刻蚀速率与所述实际刻蚀速率的差值生成各个所述刻蚀区域对应的初步电压调节量； A12、根据与目标刻蚀区域相邻的刻蚀区域的初步电压调节量或目标电压调节量以及预设耦合权重计算目标刻蚀区域对应的耦合干扰量，然后根据所述目标刻蚀区域对应的初步电压调节量和耦合干扰量计算其对应的目标电压调节量，所述目标刻蚀区域为需要进行目标电压调节量计算的刻蚀区域； A13、分析是否存在未进行目标电压调节量计算的刻蚀区域，若是，则将任一未进行目标电压调节量计算的刻蚀区域作为新的目标刻蚀区域，并返回步骤A12，若否，则执行步骤A2。

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