浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司欧阳鹏根获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶盛机电股份有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司申请的专利碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120193333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510662081.X，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法是由欧阳鹏根;刘小琴;盛永江;杨水淼;陈彦宇;杨华设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法，碳化硅衬底内部具有分布于碳面与硅面之间的改性层，改性层包括一个或多个中间层，多个中间层沿碳面的垂直方向依次布置，中间层正投影于碳面所在平面的图形为中间投影，中间投影的边廓与碳面的边缘之间形成围绕中间投影的外围区域。碳化硅衬底制备方法包括：将改性器件的作用位置调整至碳化硅衬底内的加工面域，以使作用位置落在加工面域的其中一个中间面域内至少一次，或者分别多次落在加工面域的多个中间面域内；带动碳化硅衬底相对改性器件平行于碳面活动，以使作用位置在步骤A的其中一个中间面域内产生多个改质点，或者在步骤A的多个中间面域内分别产生多个改质点。
本发明授权碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底，包括相背设置的碳面和硅面，其特征在于，所述碳化硅衬底内部具有分布于所述碳面与所述硅面之间的改性层，所述改性层包括一个或多个中间层，还包括至少一个外围层， 当所述中间层的数量为多个时，多个所述中间层沿所述碳面的垂直方向依次布置，当所述外围层的数量为多个时，多个所述外围层沿所述碳面的垂直方向依次布置； 沿所述碳面的垂直方向，所述中间层与所述外围层错位分布； 所述中间层正投影于所述碳面的图形为中间投影，所述中间投影的边廓与所述碳面的边缘之间形成围绕所述中间投影的外围区域， 所述外围层正投影于所述碳面的图形为外围投影，所述外围投影位于所述外围区域内并围绕所述中间投影。
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