中国电子科技集团公司信息科学研究院王伟平获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司信息科学研究院申请的专利一种中波红外集成偏振探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510713025.4，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种中波红外集成偏振探测器及制备方法是由王伟平;刘帅;王树锴;李楠;王子欣;徐玖治;胡小燕设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中波红外集成偏振探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种中波红外集成偏振探测器及制备方法，所述中波红外集成偏振探测器包括依次设置的多个呈周期阵列排布的偏振光栅、介质膜层和中波红外探测芯片，所述中波红外探测芯片具有多个呈周期阵列排布的pn结区，所述pn结区与所述偏振光栅一一对应布置，所述中波红外探测芯片具有多个隔离槽，所述隔离槽对应设于相邻两个所述偏振光栅之间，所述隔离槽内填充有隔离件。通过在中波红外探测芯片中设置隔离件，抑制相邻的两个偏振光栅的偏振光串扰，提升中波红外集成偏振探测器的消光比。本公开的制备方法采用纳米压印技术直接在介质膜层上加工纳米级的偏振光栅，可以提高加工效率，降低加工成本。
本发明授权一种中波红外集成偏振探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中波红外集成偏振探测器，其特征在于，所述中波红外集成偏振探测器包括依次设置的多个呈周期阵列排布的偏振光栅、介质膜层和中波红外探测芯片，所述中波红外探测芯片具有多个呈周期阵列排布的pn结区，所述pn结区与所述偏振光栅一一对应布置，所述中波红外探测芯片具有多个隔离槽，所述隔离槽对应设于相邻两个所述偏振光栅之间，所述隔离槽由所述中波红外探测芯片靠近所述介质膜层的一侧向背离所述介质膜层的一侧延伸，所述隔离槽内填充有隔离件； 所述隔离件与所述介质膜层接触，所述隔离件由所述介质膜层向所述中波红外探测芯片的内部的所述pn结区的方向延伸，所述隔离件的材质与所述介质膜层的材质均为硫化锌； 所述隔离槽的深度为5μm，所述隔离槽的宽度为4μm。
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