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龙图腾网获悉杭州海康威视数字技术股份有限公司申请的专利单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510714150.7，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置是由彭彧;苏星;俞海设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置在说明书摘要公布了：本公开的一些实施例公开了一种单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置，涉及图像传感器技术领域，用于解决SPAD光电探测器在强光环境下动态范围不足的问题。该单光子雪崩二极管包括第一电极、第二电极和晶片；晶片包括第一表面和第二表面；晶片还包括：主体部，沿第一方向堆叠设置的第一掺杂部和第二掺杂部，以及，第三掺杂部；主体部与第一电极耦接；第一掺杂部和第二掺杂部形成与主体部连接的PN结；第一掺杂部与第二电极耦接；第三掺杂部设于第二掺杂部的远离第一掺杂部的一侧；第二掺杂部和第三掺杂部的掺杂类型相反；本公开的一些实施例提供的一种单光子雪崩二极管用于光电探测。

本发明授权单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括第一电极、第二电极和晶片；所述第一电极与所述第二电极间隔设置； 所述晶片包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面，所述第一方向为所述晶片的厚度方向；所述晶片还包括： 主体部，与所述第一电极耦接； 沿所述第一方向堆叠设置的第一掺杂部和第二掺杂部；所述第一掺杂部相比所述第二掺杂部远离所述第二表面；所述第一掺杂部和所述第二掺杂部形成与所述主体部连接的PN结，且所述第一掺杂部和所述主体部的掺杂类型相反；所述第一掺杂部与所述第二电极耦接； 第三掺杂部，设于所述第二掺杂部的远离所述第一掺杂部的一侧；所述第二掺杂部和所述第三掺杂部的掺杂类型相反；所述第三掺杂部被配置为：在所述第二掺杂部远离所述第一掺杂部的一侧形成低势垒区；在过偏压绝对值较低的情况下，所述低势垒区阻挡耗尽区拓展至所述第三掺杂部的远离所述第二掺杂部的一侧；在过偏压绝对值较高的情况下，所述低势垒区的势垒被击穿，使耗尽区拓展至所述第三掺杂部的远离所述第二掺杂部的一侧。

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