北京北方华创微电子装备有限公司侯鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120272885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510752323.4，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备是由侯鹏飞;周振溪;赵福平设计研发完成，并于2025-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、多个舟承载架和多个电极组；腔室本体具有内腔，多个舟承载架在承载方向上间隔且相对地设于内腔中，多个舟承载架分别用于支撑多个承载舟，多个电极组用于一一对应地与多个承载舟相连，每个电极组的两个电极端中的一者用于实现相应的承载舟与射频组件的正极之间的电连接，每个电极组的两个电极端中的另一者用于实现相应的承载舟与射频组件的负极之间的电连接。上述方案能解决相关技术涉及的半导体工艺腔室存在承载舟受到挤压容易变形导致其中的硅片容易损坏而难以在提高工艺效率的同时保证工艺良率的问题。
本发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体100、多个舟承载架200和多个电极组300； 所述腔室本体100具有内腔110，所述多个舟承载架200在承载方向上间隔且相对地设于所述内腔110中，所述多个舟承载架200分别用于支撑多个承载舟400，每个所述电极组300的至少部分结构均设于所述内腔110中，所述多个电极组300用于一一对应地与所述多个承载舟400相连，每个所述电极组300均包括两个电极端310，每个所述电极组300的所述两个电极端310中的一者用于实现相应的所述承载舟400与射频组件的正极之间的电连接，每个所述电极组300的所述两个电极端310中的另一者用于实现相应的所述承载舟400与所述射频组件的负极之间的电连接； 所述半导体工艺腔室还包括多个加热器500，所述多个加热器500均间隔且相对地设于所述内腔110中，每个所述舟承载架200均位于相邻的两个所述加热器500之间。
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