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温州大学彭子舜获国家专利权

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龙图腾网获悉温州大学申请的专利一种基于多谐波观测与前馈补偿的Si/SiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120281167B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510757941.8,技术领域涉及:H02M1/12;该发明授权一种基于多谐波观测与前馈补偿的Si/SiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法是由彭子舜;戴瑜兴;胡文;赵振兴;赵红良;黄心沿;胡波;柯子鹏;王俊;郑达敏;郭佳宁;周臣洋;杜杰;杜敏;颜祯设计研发完成,并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于多谐波观测与前馈补偿的Si/SiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种基于多谐波观测与前馈补偿的SiSiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法,涉及电力电子技术领域,该方法包括实时监测SiSiC拓扑并联逆变器中SiIGBT逆变器输出的各次谐波信号,确定各次谐波信号的幅值和相位;所述SiSiC拓扑并联逆变器为SiIGBT逆变器和SiCMOSFET逆变器并联结构;根据所述幅值和所述相位,基于增益调度机制,生成调整后的电流补偿信号;所述调整后的电流补偿信号为与SiCMOSFET逆变器谐波信号等幅反向的电流补偿信号;根据调整后的电流补偿信号抑制SiCMOSFET逆变器输出的谐波信号,本申请能够提升谐波抑制能力以及电能质量,适用于大功率电力系统以及对电能质量要求严格的应用场合。

本发明授权一种基于多谐波观测与前馈补偿的Si/SiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法在权利要求书中公布了:1.一种基于多谐波观测与前馈补偿的SiSiC拓扑并联逆变器谐波抑制方法,其特征在于,包括: 实时监测SiSiC拓扑并联逆变器中SiIGBT逆变器输出的各次谐波信号,确定各次谐波信号的幅值和相位;所述SiSiC拓扑并联逆变器为SiIGBT逆变器和SiCMOSFET逆变器并联结构; 根据所述幅值和所述相位,基于增益调度机制,生成调整后的电流补偿信号,具体包括: 基于前馈补偿模块,根据所述幅值和相位,生成与SiIGBT逆变器各次谐波信号等幅反向的电流补偿信号; 基于增益调度机制,根据负载功率变化量动态调整所述电流补偿信号的增益; 根据调整后的增益,生成调整后的电流补偿信号;所述调整后的电流补偿信号为与SiCMOSFET逆变器谐波信号等幅反向的电流补偿信号; 根据调整后的电流补偿信号抑制SiCMOSFET逆变器输出的谐波信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人温州大学,其通讯地址为:325035 浙江省温州市瓯海区茶山高教园区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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