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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120297087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510319825.8，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法是由石万里;胡玉禄;任国鑫;高鸾凤;尹俊辉;李斌设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法在说明书摘要公布了：本发明属于真空电子器件领域，具体涉及一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法。本发明首次将无源器件的衰减量定义，引入到有源器件‑G波段边缘对齐交错栅行波管的高频结构中，背离现有高频结构衰减常数求解所用的时间平均射频功率P随轴向的变化率求解方式，从衰减和传输的基础理论出发，进行推导和数值验证，得到了G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构衰减常数求解公式，求解的衰减常数可支持3维大信号非线性注波互作用求解器BWISFW计算，并与CST‑PIC进行对比，计算结果相一致。本发明所提供的衰减常数计算方法尤其适用于G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构，有助于缩短研制周期，降低其生产成本。

本发明授权一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法在权利要求书中公布了：1.一种G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的衰减求解方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在具有本征模求解器的三维电磁仿真软件中，根据G波段边缘对齐交错栅行波管高频结构的尺寸进行三维建模； S2.根据G波段边缘对齐交错栅行波管的工作状态进行前处理求解设置，并以本征模求解器计算高频结构的场分布获取高频结构的频率f； S3.在三维电磁仿真软件对高频结构进行本征模求解计算之后，用三维电磁仿真软件后处理计算Ploss； S4.在CST本征模求解器中，改变相移参数再重新进行求解计算，得到相应的f和Ploss；共计最少获取n组相移参数对应的f和Ploss，n≥5； S5.以公式2得到行波管高频结构时间平均射频功率P；其中l是高频结构周期长度，WT是本征模求解的归一化能量，vg是群速度；CST的本征模求解器中，WT为1焦耳；群速度vg通过对角频率ω和传播常数β进行前向差分、中心差分及后向差分的方式求得； S6.从衰减和信号传输的基本理论推导高频结构衰减常数α的计算公式； 根据无源器件的衰减量定义，衰减量L为在衰减器终端负载匹配的条件下，其输入微波功率与输出微波功率之比的分贝数为衰减常数；对于行波管高频结构，输入微波功率为P，输出微波功率为P-Ploss，具体如公式3所示： 衰减常数α表示在信号传输方向的单位长度上微波功率的损耗，则： 将α的单位转换为奈培，即得到衰减常数的准确计算方式：

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