北京集成电路装备创新中心有限公司薛云艳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利光电子能谱设备的校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120314353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510550249.8，技术领域涉及：G01N23/2273；该发明授权光电子能谱设备的校准方法是由薛云艳;赵亚陇设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子能谱设备的校准方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光电子能谱设备的校准方法，涉及半导体领域。校准方法，包括：对薄膜样品进行第一次刻蚀；对刻蚀后的薄膜样品进行X射线轰击，采集谱图；根据刻蚀后薄膜样品的当前厚度以及刻蚀前薄膜样品的初始厚度，得到刻蚀厚度；根据刻蚀厚度以及谱图，得到薄膜样品的元素含量与刻蚀深度之间的关系，以确定第一刻蚀速率；采用相同刻蚀条件对确定第一刻蚀速率的薄膜样品进行第二次刻蚀，得到第二刻蚀速率；当第一刻蚀速率与第二刻蚀速率相同时，判定光电子能谱设备刻蚀稳定，将所述第一刻蚀速率或所述第二刻蚀速率确定为基准刻蚀速率；当第一刻蚀速率与第二刻蚀速率不同时，将第二刻蚀速率确定为基准刻蚀速率。本申请能够解决X射线光电子能谱仪的刻蚀速率稳定、准确性较差等问题。
本发明授权光电子能谱设备的校准方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子能谱设备的校准方法，其特征在于，所述校准方法包括： 对薄膜样品进行第一次刻蚀； 对刻蚀后的所述薄膜样品进行X射线轰击，采集谱图； 根据所述薄膜样品的刻蚀厚度以及所述谱图，得到所述薄膜样品的元素含量与刻蚀深度之间的关系，以确定第一刻蚀速率； 采用相同刻蚀条件对确定所述第一刻蚀速率的所述薄膜样品进行第二次刻蚀，得到第二刻蚀速率； 当所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率相同时，判定所述光电子能谱设备刻蚀稳定，将所述第一刻蚀速率或所述第二刻蚀速率确定为基准刻蚀速率；当所述第一刻蚀速率与所述第二刻蚀速率不同时，将所述第二刻蚀速率确定为基准刻蚀速率。
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