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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利电子密度剖面和电离层参数的获取方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120337594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510800563.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权电子密度剖面和电离层参数的获取方法及装置是由祝凌云;赵子祎;姜春华;刘桐辛;杨国斌;刘旭晖设计研发完成，并于2025-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子密度剖面和电离层参数的获取方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及地球物理学技术领域，特别涉及一种电子密度剖面和电离层参数的获取方法及装置，其中，方法包括：将目标垂直TEC数据的探测时间信息和探测位置信息输入至预设IRI模型中，以获取第一电离层参数；利用目标垂直TEC数据计算初始电离层F2层临界频率，以得到第二电离层参数；将第一电离层参数和第二电离层参数输入至预设QPS模型和预设Epstein模型中，以得到电离层中不同高度的电子密度；基于不同高度的电子密度，构建电子密度剖面模型。由此，解决了相关技术中，造价和运行成本非常昂贵，不能满足事实应用的需求，且误差较大，难以满足高精度折射误差修正的需要等问题。

本发明授权电子密度剖面和电离层参数的获取方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种电子密度剖面和电离层参数的获取方法，其特征在于，应用于模型构建阶段，其中，所述方法包括以下步骤： 将目标垂直总电子含量TEC数据的探测时间信息和探测位置信息输入至预设国际电离层参考模型IRI模型中，以获取电离层中构建电子密度剖面模型所需的第一电离层参数； 利用目标垂直TEC数据计算初始电离层F2层临界频率，以得到构建所述电子密度剖面模型所需的第二电离层参数； 将所述第一电离层参数和所述第二电离层参数输入至预设每秒查询数QPS模型和预设Epstein模型中，以得到所述电离层中不同高度的电子密度； 基于所述不同高度的电子密度，构建所述电子密度剖面模型，以利用所述电子密度剖面模型计算所述电离层中的预测目标垂直TEC数据，并基于所述目标垂直TEC数据和所述预测目标垂直TEC数据，计算所述目标垂直TEC数据和所述预测目标垂直TEC数据的初始目标垂直差值，并利用所述初始目标垂直差值确定所述电离层中的目标最终电子密度剖面、目标最终第一电离层参数和目标最终第二电离层参数； 其中，所述利用所述初始目标垂直差值确定所述电离层中的目标最终电子密度剖面、目标最终第一电离层参数和目标最终第二电离层参数，包括： 基于所述目标垂直TEC数据，确定所述第一电离层参数中的初始电离层F2层峰值高度； 基于所述初始电离层F2层峰值高度和所述初始电离层F2层临界频率，按照预设更新条件对所述电离层F2层峰值高度和所述电离层F2层临界频率进行更新，直至得到满足预设差值条件的目标垂直差值，并利用所述目标垂直差值确定所述目标最终电子密度剖面、所述目标最终第一电离层参数和所述目标最终第二电离层参数。

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