北京北方华创微电子装备有限公司余江浦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510503494.3，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备是由余江浦;董家承;马一鸣;杨光;曹振勇;宗凯;李钧恒;白贺设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备，该刻蚀方法包括：采用第一工艺气体对半导体叠层结构中的第一半导体层的侧壁进行选择性刻蚀，以使得第一半导体层的侧壁在第二方向相对于第二半导体层凹陷，第二方向垂直于第一方向；其中，第一工艺气体包括第一刻蚀气体，第一刻蚀气体包括第一含氟气体和第二含氟气体；第一含氟气体对第一半导体层相对第二半导体层的刻蚀选择比高于第二含氟气体对第一半导体层相对第二半导体层的刻蚀选择比；且，第二含氟气体对第一半导体层的刻蚀速率高于第一含氟气体对第一半导体层的刻蚀速率。
本发明授权半导体叠层结构的刻蚀方法、器件的制造方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体叠层结构的刻蚀方法，其特征在于，所述半导体叠层结构包括在第一方向上交替叠置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层含Ge，且所述第一半导体层与第二半导体层的材料不同，所述方法包括： 采用第一工艺气体对所述半导体叠层结构中的所述第一半导体层的侧壁进行选择性刻蚀，以使得所述第一半导体层的侧壁在第二方向相对于所述第二半导体层凹陷，所述第二方向垂直于所述第一方向； 其中，所述第一工艺气体包括第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体包括第一含氟气体和第二含氟气体； 所述第一含氟气体对所述第一半导体层相对所述第二半导体层的刻蚀选择比高于所述第二含氟气体对所述第一半导体层相对所述第二半导体层的刻蚀选择比；且， 所述第二含氟气体对所述第一半导体层的刻蚀速率高于所述第一含氟气体对所述第一半导体层的刻蚀速率。
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