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龙图腾网获悉昆山一鼎工业科技有限公司申请的专利基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120387203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510872903.7，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统是由门松明珠;周智翰;周爱和设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统，该方法包括：提供点镀阳极机构；组装镀覆装置机构；选取镀覆溶液的金属种类、密度数据，将选取的镀覆溶液放入镀覆装置机构的槽体中；将待加工半导体引线框架设置于镀覆装置机构的所定位置；计算点镀阳极机构呈锥体的阳极射流通孔的射流射程H；基于镀覆溶液流体动能方程和镀覆溶液流体耗散率方程构建点镀阳极模型。本发明能快速实现模拟半导体引线框架局部镀层膜厚的准确性，大幅度降低与实际电镀产品镀层膜厚的误差，还能够实现点镀阳极锥体射流装置技术水平的进一步完善，实现半导体引线框架镀层膜厚的均匀性的进一步提高，达到满足高端半导体引线框架产品对高端性能和高品质的要求。

本发明授权基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤1：提供点镀阳极机构200，所述点镀阳极机构200包括外圆筒120、以及设置于外圆筒120内的内圆筒110，所述外圆筒120开设有呈锥体的阳极射流通孔； 步骤2：组装包含有所述点镀阳极机构200的镀覆装置机构300，配置输送镀覆溶液的泵浦以及流量计； 步骤3：选取镀覆溶液的金属种类、密度数据，将选取的镀覆溶液放入所述镀覆装置机构300的槽体中； 步骤4：将待加工半导体引线框架设置于镀覆装置机构300的所定位置； 步骤5：计算所述点镀阳极机构200呈锥体的阳极射流通孔的射流射程H； 步骤6：基于镀覆溶液流体动能k方程和镀覆溶液流体耗散率ε方程构建点镀阳极模型； 步骤7：通过步骤6中的点镀阳极模型优化模拟镀覆溶液射流射程H模拟射程，应用于高端镀覆设备模组进行测试，获得实际的镀覆溶液射流射程H实测射程； 步骤8：比较H模拟射程与H实测射程，若满足： 100%-0.8%H模拟射程≤H实测射程≤100%+0.8%H模拟射程公式4 则确认所述点镀阳极模型；否则以实际的镀覆溶液射流射程H实测射程为基准，修正模拟镀覆溶液射流射程H模拟射程并循环步骤6，直至满足条件； 所述镀覆溶液流体动能k方程为： 公式2 所述镀覆溶液流体耗散率ε方程为： 公式3 其中，ρ为流体密度，k为湍动能量，ε为湍流耗散率，t为时间，为速度分量，μt为湍流粘度值，P为参数； 表示t时刻的连续湍动能量微分项，表示xj方向的连续湍动能量和脉动平均能量微分项，等号右侧为具体展开式；表示xj方向所示的能量微分项，Pk为湍流生成项，Gb为平均速度梯度产生的湍流动能项，ρε表示流体密度与湍流耗散率对应的能量修正项，YM表示可压缩射流中波动膨胀对总耗散率的贡献； 表示t时刻的湍流耗散率的微分项，表示xi方向的连续耗散率和平均脉动能量微分项，等号右侧为具体展开式；表示xj方向的所示能量微分项，表示点镀阳极的射流能量的第一修正项，表示点镀阳极的射流能量的第二修正项；其中第一修正项和第二修正项中的Cε1，Cε2和Cε3为校正系数。

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