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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510920094.2，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权半导体结构的制备方法是由芮强;杨国江;严毅琳;刘建华设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于基底的一侧形成第一半导体中间层，第一半导体中间层具有沟槽，沟槽内设有栅极介质层与栅极结构，第一半导体中间层具有第一导电类型；对第一半导体中间层形成图形化处理，形成第一开口，第一开口与栅极介质层间隔设置，第一开口自第一半导体层远离基底的一侧延伸至第一半导体层内部，剩余第一半导体中间层形成第一半导体层；填充第一开口，形成第二半导体层，第二半导体层具有第一导电类型。本申请通过在靠近栅极介质层的半导体层的浓度较低，远离沟道的半导体层的浓度较高，从而提升半导体器件的性能。

本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供基底； 于所述基底的一侧形成第一半导体中间层，所述第一半导体中间层具有沟槽，所述沟槽内设有栅极介质层与栅极结构，所述第一半导体中间层具有第一导电类型，所述沟槽自所述第一半导体中间层表面，贯穿所述第一半导体中间层延伸至所述基底内部； 对所述第一半导体中间层形成图形化处理，形成第一开口，所述第一开口的底部保留部分所述第一半导体中间层，所述第一开口与所述栅极介质层间隔设置，所述第一开口自第一半导体层远离所述基底的一侧延伸至所述第一半导体层内部，剩余所述第一半导体中间层形成第一半导体层； 填充所述第一开口，形成第二半导体层，所述第二半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层与所述栅极介质层之间形成有所述第一半导体层，且所述第一半导体层与所述第二半导体层均为P型半导体层； 环绕所述栅极介质层的第一半导体层的离子浓度低于所述第二半导体层的离子浓度，且所述第二半导体层的掺杂浓度在1×1016-5×1019cm-3之间。

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