苏州晨晖智能设备有限公司闫洪嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利一种轻掺杂氢化非晶硅/钙钛矿异质结光伏电池、光伏组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919723.X，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种轻掺杂氢化非晶硅/钙钛矿异质结光伏电池、光伏组件及其制备方法是由闫洪嘉;李涛勇设计研发完成，并于2025-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种轻掺杂氢化非晶硅/钙钛矿异质结光伏电池、光伏组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种轻掺杂氢化非晶硅钙钛矿异质结光伏电池、光伏组件及其制备方法。通过将厚度为2nm~150nm的轻掺杂氢化非晶硅a‑Si:H‑光活性材料覆盖于钙钛矿PS光活性材料主受光面构成异质结，提升电池性能。其中，a‑Si:H‑光活性材料可有效吸收UV光和紫光，形成对PS光活性材料的有效防护，并能够将其阻隔的UV光和紫光转化为光生电流，提高光电转换效率。此外，a‑Si:H－光活性材料通过掺杂可调控费米能级位置，实现与PS光活性材料的能带匹配，充分利用PS光活性材料带隙提升开路电压，同时避免传统PS光活性材料的针孔缺陷导致的性能衰退。
本发明授权一种轻掺杂氢化非晶硅/钙钛矿异质结光伏电池、光伏组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种轻掺杂氢化非晶硅钙钛矿异质结光伏电池，包括正负电极和形成半导体异质结的光活性材料，其特征在于，形成轻掺杂氢化非晶硅钙钛矿异质结的半导体材料是轻掺杂氢化非晶硅光活性材料和钙钛矿光活性材料，所述轻掺杂氢化非晶硅光活性材料为掺杂浓度在1015cm-3~1019cm-3范围的氢化非晶硅光活性材料，其厚度为2nm~150nm，所述轻掺杂氢化非晶硅光活性材料覆盖在所述钙钛矿光活性材料的主受光面之上，组成轻掺杂氢化非晶硅钙钛矿异质结光伏电池； 所述钙钛矿光活性材料的带隙宽度小于或等于所述轻掺杂氢化非晶硅光活性材料的带隙宽度，所述轻掺杂氢化非晶硅光活性材料的导带底或价带顶的能级位置关系至少有如下两个特征之中的一个特征： an型轻掺杂氢化非晶硅光活性材料的导带底能级等于或低于所述钙钛矿光活性材料的导带底能级； bp型轻掺杂氢化非晶硅光活性材料的价带顶能级等于或高于所述钙钛矿光活性材料的价带顶能级。
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