合肥晶合集成电路股份有限公司王康获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120469149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510972964.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备是由王康;罗招龙设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，提供OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备。本发明OPC模型的构建方法，根据成像对比度对晶圆图形进行了筛选分类，筛选出成像对比度不满足预设要求的晶圆图形，利用这些晶圆图形的CDSEM图像与测试版图进行叠对，精准且快速地得到与测试版图的对准标记位置一致的晶圆图形的特征尺寸，作为校准特征尺寸，这种方法得到的校准特征尺寸相对于原始特征尺寸更加准确，用于构建OPC模型，可以提高OPC模型的准确性。
本发明授权OPC模型的构建方法、掩膜版图案的获取方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.OPC模型的构建方法，其特征在于，包括： 获取多个晶圆图形分别对应的CDSEM图像及原始特征尺寸；所述晶圆图形是通过测试版图光刻后形成于晶圆上的图形；所述原始特征尺寸是指通过CDSEM测量得到的特征尺寸； 从所有晶圆图形中筛选出成像对比度不满足预设要求的晶圆图形，作为待校准晶圆图形，剩余的晶圆图形为非校准晶圆图形，待校准晶圆图形对应的CDSEM图像作为待处理CDSEM图像； 将待处理CDSEM图像与测试版图进行叠对，获得待处理CDSEM图像在与测试版图的对准标记位置对应位置的特征尺寸，作为待校准晶圆图形的校准特征尺寸； 构建初始OPC模型，根据待校准晶圆图形的校准特征尺寸以及非校准晶圆图形的原始特征尺寸，对初始OPC模型的模型参数进行校准，得到OPC模型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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