合肥晶合集成电路股份有限公司吉强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种金属插塞及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510972429.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种金属插塞及其形成方法是由吉强;张生义;王胜南设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属插塞及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属插塞及其形成方法，形成方法包括：在衬底上形成绝缘介质层，绝缘介质层由下至上依次包括第一层间介质层、停止层和第二层间介质层，绝缘介质层中设置有填充层，填充层贯通绝缘介质层并与衬底接触，还覆盖绝缘介质层的表面；对填充层进行第一次研磨，并研磨停止在第二层间介质层上；对填充层进行第二次研磨，使得填充层的表面位于第二层间介质层的上表面和停止层的上表面之间；对第二层间介质层进行研磨，并研磨停止在停止层上；对填充层进行第三次研磨并形成金属接触，使得金属接触的表面位于所述停止层的下表面下方，以调整抛光顺序并将一次过抛光拆分成两次，降低单次研磨应力，消除了金属接触中心剥离风险，降低了良率损失。
本发明授权一种金属插塞及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属插塞的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上形成绝缘介质层，所述绝缘介质层由下至上依次包括第一层间介质层、停止层和第二层间介质层，所述绝缘介质层中设置有填充层，所述填充层贯通所述绝缘介质层并与所述衬底接触，还覆盖所述绝缘介质层的表面； 对所述填充层进行第一次研磨，并研磨停止在所述第二层间介质层上； 对所述填充层进行第二次研磨，所述第二次研磨为过抛光工艺，研磨时间为5s~10s，使得所述填充层的表面位于所述第二层间介质层的上表面和所述停止层的上表面之间； 对所述第二层间介质层进行研磨，并研磨停止在所述停止层上； 对所述填充层进行第三次研磨并形成金属接触，所述第三次研磨为过抛光工艺，研磨时间为5s~10s，使得所述金属接触的表面位于所述停止层的下表面下方。
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