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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种导通压降测量电路、结温监测方法及功率变流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120490762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510984613.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种导通压降测量电路、结温监测方法及功率变流器是由刘碧;林美琛;胡存刚;张宁;朱文杰;李浩然设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种导通压降测量电路、结温监测方法及功率变流器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体功率器件监测技术领域，揭示了一种导通压降测量电路、结温监测方法及功率变流器，导通压降测量电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、增强型NMOS管、运算放大器和电源。本发明通过增强型NMOS管的自适应开关控制，实现电路在IGBT关断时的高压保护和导通时的精确测量，无需外部驱动信号即可完成测量功能，结构简单、测量精度高、响应速度快、安全性强，可广泛应用于功率变流器中IGBT器件的在线健康监测。

本发明授权一种导通压降测量电路、结温监测方法及功率变流器在权利要求书中公布了：1.一种导通压降测量电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、增强型NMOS管、运算放大器和电源； 待测IGBT器件的集电极连接所述第一电阻的第一端和所述第二电阻的第一端； 所述第二电阻的第二端连接所述增强型NMOS管的源极； 所述增强型NMOS管的漏极连接所述第一电阻的第二端、所述第三电阻的第一端、所述运算放大器的输入端、所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极； 所述第二二极管的阳极连接所述第三二极管的阴极； 所述第三二极管的阳极接地，并连接所述待测IGBT器件的发射极、所述第三电阻的第二端、所述第一二极管的阳极和所述电源的负极； 所述增强型NMOS管的栅极连接所述电源的正极； 所述运算放大器的反向输入端与输出端相连，作为测量电路的输出端； 其中，； 式中，VDC为母线电压，Vo为电源电压，RM_off为所述增强型NMOS管关断时的等效阻值，VM_th为所述增强型NMOS管的阈值电压，R1为第一电阻的阻值，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值； 所述第一电阻的阻值大于1MΩ，所述第二电阻的阻值为所述第三电阻的阻值的1%-5%。

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